[发明专利]光电转换元件

权利要求书

1.一种光电转换元件，其包括：

第一基板；

设置在所述第一基板上的第一透明电极；

设置在所述第一透明电极上的空穴阻挡层；

电子传输层，所述电子传输层设置在所述空穴阻挡层上并且包括在其表面上吸附光敏化合物的电子传输半导体；

空穴传输层，所述空穴传输层连接至所述电子传输层并且包括空穴传输材料；和

设置在所述空穴传输层上的第二电极，

其中所述光电转换元件包括配置为从所述光电转换元件提取电力的输出提取端子部件，并且所述输出提取端子部件形成有穿透所述空穴阻挡层的多个微孔。

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，

其中配置为从所述光电转换元件提取电力的输出提取端子部件，和配置为将所述第二电极连接到所述第一透明电极的串联电池连接部件形成有穿透所述空穴阻挡层的多个微孔。

3.根据权利要求2所述的光电转换元件，

其中所述输出提取端子部件和所述串联电池连接部件的总电阻值小于所述光电转换元件的串联电阻Rs。

4.根据权利要求2或3所述的光电转换元件，

其中所述输出提取端子部件和所述串联电池连接部件中微孔的总面积与所述输出提取端子部件和所述串联电池连接部件的面积之间的比为16.4％或更大但是小于82.4％。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的光电转换元件，

其中在所述空穴阻挡层中形成的多个微孔穿透所述第一透明电极以到达所述第一基板。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的光电转换元件，

其中所述第一透明电极是氧化铟锡(ITO)透明膜。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的光电转换元件，

其中所述第一透明元件的平均厚度为10nm或更大但是1,000nm或更小，并且所述空穴阻挡层的平均厚度为5nm或更大但是1,000nm或更小。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的光电转换元件，

其中所述多个微孔的总开口面积与所述输出提取端子部件的面积的比为5％或更大但是60％或更小。

9.根据权利要求8所述的光电转换元件，

其中所述多个微孔的开口为圆形，圆形微孔的平均直径与相邻圆形微孔之间的最小距离的平均值(平均间距)的比为25％或更大但是85％或更小，并且所述平均间距为20微米或更大但是90微米或更小。

10.根据权利要求8所述的光电转换元件，

其中所述多个微孔的开口是线形，线形微孔的平均宽度与相邻线形微孔之间的最小距离的平均值(平均间距)的比为15％或更大但是45％或更小，并且所述平均间距为40微米或更大但是100微米或更小。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的光电转换元件，

其中所述光电转换元件包括在所述输出提取端子部件的至少一部分上形成的导电材料膜，以将导电材料嵌入所述多个微孔中，以进行输出电力的提取。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的光电转换元件，

其中所述空穴阻挡层为金属氧化物半导体，所述金属氧化物半导体包括选自下列的至少一种：氧化钛、氧化铌、氧化镁、氧化铝、氧化锌、氧化钨和氧化锡。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的光电转换元件，

其中所述空穴阻挡层的未形成微孔的区域和第一透明电极对波长为500nm的光的透射比为70.0％或更大。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的光电转换元件，

其中所述光电转换元件为包括金属氧化物半导体的染料敏化太阳能电池，并且所述金属氧化物半导体用染料敏化。