[发明专利]电容矩阵布置及其激励方法

权利要求书

1.一种具有电容矩阵布置的装置，包括有源介质(1)，其嵌入在第一组和第二组相应的并行寻址电极之间的层中，其中第一组的寻址电极形成字线(2)，第二组寻址电极形成矩阵布置的位线(3)，其中字线(2)和位线(3)在交叉点相交，具有介入有源介质(1)的电容单元(4)布置在交叉点处，能够通过字线(2)和位线(3)的激励来选择，其特征在于，至少在交叉点区域中的字线(2)由具有可变德拜长度的材料组成，即，具有可变移动电荷载流子浓度的材料，并且布置在有源介质(1)和非有源电介质(7)之间，与它们形成分层布置，并且分层布置位于参比电极(5，6)和位线(3)之间，其中

-选择分层布置的第一层，使得从字线看到的有源介质位于具有参比电极的一侧并且

-或者，选择分层布置的第二层，使得从字线看到的有源介质位于具有位线的一侧。

2.如权利要求1所述的具有电容矩阵布置的装置，其特征在于，所述参比电极包括多个条状条带参比电极(6)，其中所述条带参比电极(6)对应于所述位线(3)形成并且是可单独激励的。

3.如权利要求1或2所述的具有电容矩阵布置的装置，其特征在于，字线(2)由半导体组成，并设有p掺杂(8)和n掺杂(9)区，其中选择掺杂水平使得p掺杂(8)和n掺杂(9)区的费米能级与字线(2)的费米能级具有相同的距离，以及所得psn结(10)的能带模型具有对称性。

4.如权利要求3所述的具有电容矩阵布置的装置，其特征在于，p掺杂(8)和n掺杂(9)区位于相应字线的纵向延伸侧或端面处。

5.如权利要求3所述的具有电容矩阵布置的装置，其特征在于，条带参比电极和位线彼此交叉，并且在交叉点处，条带参比电极(6)跨越p掺杂区(8)连接到字线(2)和跨越n掺杂区(9)连接到位线(3)，或条带参比电极(6)分别跨越n掺杂区(9)连接到字线，跨越p掺杂区(8)连接到位线(3)。

6.如权利要求1或2所述的具有电容矩阵布置的装置，其特征在于，字线(2)由半导体组成，并且设置有形成肖特基接触的不同金属区域，其中选择金属的功能函数使得金属区域和半导体之间的费米能级的距离是相同的，并且能带模型是对称的。

7.如权利要求1或2所述的具有电容矩阵布置的装置，其特征在于，具有金属-绝缘体结的材料用于字线(2)。

8.如权利要求1所述的具有电容矩阵布置的装置，其特征在于，有源介质(1)是用于存储数据的可电极化的电介质存储材料。

9.如权利要求1所述的具有电容矩阵布置的装置，其特征在于，有源介质(1)是液体或电泳显示装置。

10.如权利要求1所述的具有电容矩阵布置的装置，其特征在于，所述电容矩阵布置涉及具有字线(2)的S形传输行为(12)或具有产生的电场的非线性(15)的人工神经元的激励函数的建模。