[发明专利]具有透明隧道结的光伏器件

权利要求书

1.一种光伏器件，包括：

从第一透明导电氧化物层或窗口层或两者选择的n-型层；

设置在所述n-型层上的p-型吸收剂层，其中所述吸收剂层基本上由CdSe_xTe_(1-x)组成，其中x从大约1 at. %至大约40 at. %；以及

设置在所述吸收剂层上的透明隧道结，所述隧道结包括掺杂为p+型的透明界面层，和掺杂为n+型的透明接触层，其中所述界面层被设置在所述吸收剂层与所述接触层之间，并且其中所述接触层包括第二透明导电氧化物。

2.如权利要求1所述的光伏器件，其中所述吸收剂层中Se的量被分级使得x从大约0的最小值变化到在大约15 at. %至大约30 at. %的范围内的最大值。

3.如前述权利要求中任一项所述的光伏器件，其中所述界面层包括与铜（Cu）掺杂的Cd_yZn_(1-y)Te，其中y可以从0至大约60 at. %。

4.如前述权利要求中任一项所述的光伏器件，其中所述透明接触层从由以下各项组成的导电氧化物的组选择：氟掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、锡酸镉和铟掺杂氧化锡。

5.如权利要求4所述的光伏器件，其中所述透明接触层基本上由ZnO和Al组成。

6.如权利要求5所述的光伏器件，其中铝（Al）的浓度是大约4至6原子百分比。

7.如前述权利要求中任一项所述的光伏器件，其中所述透明接触层的厚度是大约0.02μm至大约1.0μm。

8.如前述权利要求中任一项所述的光伏器件，其中所述器件进一步包括与所述透明接触层接触的次级导体。

9.如权利要求8所述的光伏器件，其中所述次级导体包括金属网格指，并且其中所述透明接触层具有大约0.02μm至大约0.20μm的厚度。

10.如前述权利要求中任一项所述的光伏器件，其中所述第一透明导电氧化物层和所述吸收剂层大体上没有Zn。

11.如前述权利要求中任一项所述的光伏器件，进一步包括设置在所述透明接触层上的光反射器（ORF）层。

12.如权利要求11所述的光伏器件，其中所述ORF层包括从由金、银和铝组成的组选择的材料。

13.如权利要求12所述的光伏器件，其中所述ORF层具有在从50nm至200nm的范围内的厚度。

14.如权利要求1至11中任一项所述的光伏器件，进一步包括设置在所述吸收剂层与所述界面层之间的电子反射器层（ERF）。

15.如前述权利要求中任一项所述的光伏器件，其中所述界面层和所述透明接触层大体上没有石墨。

16.如前述权利要求中任一项所述的光伏器件，其中所述界面层、透明接触层和次级导体大体上没有石墨。