[发明专利]用于半导体处理的晶片定位基座的垫升高机制有效
申请号: | 201780076693.4 | 申请日: | 2017-10-11 |
公开(公告)号: | CN110062816B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 保罗·孔科拉;卡尔·F·利泽;伊斯瓦·斯里尼瓦桑 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;H01L21/00 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体 处理 晶片 定位 基座 升高 机制 | ||
1.一种在用于在晶片上沉积膜的处理室中使用的组件,其包括:
基座组件,其包括能移动地安装在主框架上的基座;
升降垫,其被配置成搁置在所述基座的基座顶表面上并与所述基座组件一起移动;和
升降垫升高机构,其被配置为将所述升降垫与所述基座分离,所述升降垫升高机构包括:
相对于所述主框架固定的上硬止动件;
附接在所述基座组件上的第一辊;
能移动地附接到所述基座组件上的滑动件;
升降垫支架,其互连到所述滑动件上并且互连到垫轴上,其中所述垫轴沿中心轴线从所述升降垫延伸;和
杆,其能通过销旋转地附接到所述升降垫支架上,其中所述杆当不与所述上硬止动件接合时,以中立位置搁置在所述第一辊上;
其中,当所述基座组件向上移动时,所述杆被配置成在与所述上硬止动件和所述第一辊接合时绕所述销旋转,并将所述升降垫与所述基座顶表面分离处理旋转位移。
2.根据权利要求1所述的组件,其中所述基座组件还包括:
基座支架,其附接到所述基座上并能移动地附接到所述主框架上,其中所述基座支架被配置成使所述基座相对于所述主框架沿所述中心轴线移动;和
中心轴,其沿着所述中心轴线从所述基座延伸,所述中心轴被配置成与所述基座一起移动;并且
其中所述垫轴配置成将所述升降垫与所述基座分开,并且定位在所述中心轴内。
3.根据权利要求1所述的组件,其中当所述杆围绕所述销旋转时,所述升降垫支架和滑动件一起相对于所述基座组件向上移动,使得所述升降垫被配置为相对于所述基座顶表面沿所述中心轴线向上移动。
4.根据权利要求1所述的组件,其中当所述杆围绕所述销旋转时,所述升降垫和所述基座组件以2比1的比例移动。
5.根据权利要求1所述的组件,其中,当所述杆处于所述中立位置并且不与所述上硬止动件接合时,在所述杆和所述基座组件之间没有相对运动。
6.根据权利要求1所述的组件,其中所述升降垫还包括从所述中心轴线延伸的垫顶表面和被配置成搁置在所述基座顶表面上的垫底表面,所述垫顶表面被配置成当晶片放置在其上时支撑所述晶片。
7.根据权利要求6所述的组件,其中垫顶表面的直径小于晶片直径。
8.根据权利要求6所述的组件,其中,垫顶表面的直径的尺寸大致为晶片直径。
9.根据权利要求1所述的组件,其中所述升降垫被配置为当在至少第一角度方位和第二角度方位之间与所述基座分离时相对于所述基座顶表面旋转。
10.根据权利要求1所述的组件,其中所述升降垫位于所述基座顶表面的凹部内。
11.根据权利要求1所述的组件,其中所述升降垫支架与互连到所述垫轴的铁密封件组件互连,其中所述铁密封件组件被配置成在所述垫轴旋转或不旋转时围绕所述垫轴提供真空密封。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的