[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质

说明书

基片处理装置(10)包括：保持晶片(W)并使其旋转的旋转保持部(21)；对由旋转保持部(21)保持的晶片(W)的周缘部(We)供给处理液的液供给部(22)；检测周缘部(We)的温度分布的传感器(23)；和控制装置(4)，其构成为能够执行如下动作：基于温度分布，来检测周缘部(We)中附着处理液的区域与未附着处理液的区域的边界部(B1、B2)。

技术领域

本发明涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。

背景技术

在专利文献1中，公开了一种液处理装置，其用于通过供给处理液来除去基片的周缘部的膜。该液处理装置构成为能够拍摄进行了液处理之后的周缘部的状态，基于该拍摄结果求取膜的除去宽度，使处理液的供给位置移动来调节膜的除去宽度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-168429号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

在专利文献1的构成中，需要在至少完成对一个基片的液处理之后，使用该基片来测量除去宽度。因此，当除去宽度的测量结果不在容许范围内时等，存在不能有效利用该除去宽度的测量中使用的基片的可能性。因此，本发明的目的在于提供能够在执行液处理的期间检测关于实施液处理的区域的信息的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一方面的基片处理装置包括：保持基片并使其旋转的旋转保持部；对由旋转保持部保持的基片的周缘部供给处理液的液供给部；检测周缘部的温度分布的传感器；和控制装置，其构成为能够执行如下动作：基于温度分布，来检测周缘部中附着处理液的区域与未附着处理液的区域的边界部。

发明效果

依照本发明，能够在执行液处理的期间检测关于实施液处理的区域的信息。

附图说明

图1是表示本实施方式的基片处理系统的概略结构的图。

图2是表示基片处理装置的概略结构的示意图。

图3是图2中的处理单元的俯视图。

图4是表示基片处理顺序的流程图。

图5是表示基片处理顺序的流程图。

图6是表示对晶片W供给药液的状态的示意图。

图7是表示对晶片W供给冲洗液的状态的示意图。

图8是表示晶片的周缘部的温度随时间变化的图表。

具体实施方式

以下，参照附图，对实施方式进行详细说明。在说明中，对相同要素或具有相同功能的要素标注相同的附图标记，并省略重复的说明。

图1是表示本实施方式的基片处理系统的概略结构的图。在以下的说明中，为了明确位置关系，规定相互正交的X轴、Y轴和Z轴，以Z轴正向为铅垂向上方向。如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2与处理站3相邻设置。

送入送出站2包括载体载置部11和输送部12。在载体载置部11载置以水平状态收纳多个基片(在本实施方式中为半导体晶片(以下为晶片W))的多个载体C。

输送部12与载体载置部11相邻设置，在内部设有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13包括保持晶片W的晶片保持机构。此外，基片输送装置13能够向水平方向和铅垂方向移动并且以铅垂轴为中心回转，使用晶片保持机构在载体C与交接部14之间输送晶片W。