[发明专利]Al2O3溅射靶及其制造方法

权利要求书

1.一种Al₂O₃溅射靶，其中，所述Al₂O₃溅射靶的纯度为99.99重量％以上、相对密度为85％以上且95％以下、体积电阻率为10×10¹⁴Ω·cm以下、介质损耗角正切为15×10^-4以上。

2.如权利要求1所述的Al₂O₃溅射靶，其中，所述Al₂O₃溅射靶的平均晶粒尺寸为0.3μm～3.0μm。

3.如权利要求1或2所述的Al₂O₃溅射靶，其中，所述Al₂O₃溅射靶的表面粗糙度Ra为1.0μm～2.0μm。

4.如权利要求1～3中任一项所述的Al₂O₃溅射靶，其中，所述Al₂O₃溅射靶的抗折强度为200MPa以上。

5.如权利要求1～4中任一项所述的Al₂O₃溅射靶，其特征在于，在将靶设置于具有RF电源的溅射装置中、并在输入功率：2.5W/cm²～3.0W/cm²、Ar分压：0.5Pa、膜厚：的条件下进行成膜时的成膜速率为以上。

6.如权利要求1～5中任一项所述的Al₂O₃溅射靶，其特征在于，在将靶设置于具有RF电源的溅射装置中、并在输入功率：2.5W/cm²～3.0W/cm²、Ar分压：0.5Pa、膜厚：的条件下进行成膜时的预烧时间为200千瓦时以内。

7.如权利要求1～6中任一项所述的Al₂O₃溅射靶，其特征在于，在将靶设置于具有RF电源的溅射装置中、并在输入功率：2.5W/cm²～3.0W/cm²、Ar分压：0.5Pa、膜厚：的条件下在直径为300mm的晶片上进行成膜时，存在于晶片上的大于0.12μm的粉粒数少于100个。

8.如权利要求1～7中任一项所述的Al₂O₃溅射靶，其特征在于，在将靶设置于具有RF电源的溅射装置中、并在输入功率：2.5W/cm²～3.0W/cm²、Ar分压：0.5Pa、膜厚：的条件下在直径为300mm的晶片上进行成膜时，在晶片面内49个点处的膜厚变动(σ)为以下。

9.如权利要求1～8中任一项所述的Al₂O₃溅射靶，其特征在于，在将靶设置于具有RF电源的溅射装置中、并在输入功率：2.5W/cm²～3.0W/cm²、Ar分压：0.5Pa、膜厚：的条件下在直径为300mm的晶片上进行成膜时，对膜进行干法蚀刻的蚀刻速度为20nm/分钟以下。

10.一种Al₂O₃溅射靶的制造方法，其特征在于，对纯度为99.99重量％以上的Al₂O₃原料粉末进行热压，从而制作相对密度为60％以上且85％以下的成型体，并对该成型体进行常压烧结。

11.如权利要求10所述的Al₂O₃溅射靶的制造方法，其特征在于，在满足T≤t≤T+600℃(T为热压时的温度)的温度范围t内进行所述常压烧结。