[发明专利]BAW谐振器和谐振器布置有效
| 申请号： | 201780077120.3 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN110073597B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | M·席克;G·穆拉尔;M·施米德根;A·施沃贝尔 | 申请（专利权）人： | 追踪有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H9/54 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | baw 谐振器 布置 | ||
1.一种滤波器，包括：
第一BAW谐振器，具有压电层，所述压电层定位在顶部电极与底部电极之间；
介电层，所述介电层定位在所述底部电极与额外电极之间，其中所述介电层、所述底部电极和所述额外电极经配置以在所述谐振器中提供电容；以及
第二BAW谐振器，具有比所述第一BAW谐振器少至少一个的电极。
2.根据权利要求1所述的滤波器，
其中所述介电层是用于改善所述压电层的生长条件的晶种层。
3.根据权利要求1所述的滤波器，
其中所述介电层的厚度至少比所述压电层的厚度小一个数量级。
4.根据权利要求1所述的滤波器，
其中所述介电层包括非压电材料。
5.根据权利要求1所述的滤波器，
其中所述介电层包括压电材料。
6.根据权利要求1所述的滤波器，
其中相比于所述底部电极，所述额外电极覆盖的所述谐振器的截面面积更小。
7.根据权利要求1所述的滤波器，
其中所述额外电极与所述底部电极覆盖的所述谐振器的截面面积相同。
8.根据权利要求1所述的滤波器，
其中所述顶部电极不覆盖或不完全覆盖所述额外电极。
9.根据权利要求1所述的滤波器，
其包括通孔，其中所述额外电极定位在所述通孔下方。
10.根据权利要求1所述的滤波器，
其中所述介电层包括压电材料且其中所述第二BAW谐振器(101)包括第二压电层以及与所述第二压电层邻近的第三压电层，并且
其中所述第三压电层具有与所述介电层相同的厚度和材料。
11.根据权利要求1所述的滤波器，
其中所述第一BAW谐振器和所述第二BAW谐振器(101)定位于单个衬底上。
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