[发明专利]太阳能电池用基板以及配备上述基板的太阳能电池在审
申请号: | 201780077178.8 | 申请日: | 2017-10-18 |
公开(公告)号: | CN110392935A | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 金仁喆;高旼秀;金冲镐;卢和泳;张文硕;田*铉 | 申请(专利权)人: | LS-NIKKO铜制炼株式会社 |
主分类号: | H01L31/0248 | 分类号: | H01L31/0248;H01L31/04;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金成哲;宋海花 |
地址: | 韩国蔚*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 玻璃熔块 金属粉末 太阳能电池用基板 印刷层 导电性浆料 平均粒径 电极 基板 玻璃 太阳能电池 印刷 烧结 配备 转换 | ||
本发明提供一种太阳能电池用基板,在于基板的上部配备电极的太阳能电池用基板中,上述电极是以包括利用包含第1金属粉末和第1玻璃熔块的导电性浆料印刷形成的下部印刷层以及利用包含第2金属粉末和第2玻璃熔块的导电性浆料印刷形成于上述下部印刷层的上部的上部印刷层的状态烧结形成,上述第2金属粉末的平均粒径(D50)小于上述第2金属粉末的平均粒径(D50),上述第2玻璃熔块的玻璃转换温度高于上述第2玻璃熔块的玻璃转换温度。
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池用基板以及配备上述基板的太阳能电池。
背景技术
太阳能电池(solar cell)是用于将太阳能转换成电能的半导体元件,通常为p-n结形态,其基本结构与二极管相同。图1是一般的太阳能电池元件的结构,太阳能电池元件通常是利用厚度为180~250μm的p型硅半导体基板10构成。在硅半导体基板的受光面一侧形成厚度为0.3~0.6μm的n型杂质层,并在其上方形成反射防止膜30以及正面电极100。此外,在p型硅半导体基板的背面一侧形成背面电极50。正面电极100是在将由银作为主要成分的导电性粒子(silver powder)、玻璃熔块(glass frit)、有机载体(organic vehicle)等进行混合的导电性浆料涂布到反射防止膜30上之后通过烧制形成电极,而背面电极50是在将由铝粉末、玻璃熔块、有机载体(organic vehicle)以及添加剂构成的铝浆料组合物通过丝网印刷等方式进行涂布和干燥之后在660℃(铝的熔点)以上的温度进行烧制而形成。在上述烧制过程中,铝会被扩散到p型硅半导体基板的内部并借此在背面电极和p型硅半导体基板之间形成Al-Si合金层,同时还将通过铝原子的扩散形成作为杂质层的p+层40。借助于上述p+层的存在,能够防止电子的再结合并得到可以提升所生成载体的收集效率的BSF(Back Surface Field,背面电场)效果。在背面铝电极50的下部,还能够形成背面银电极60。
正面电极通常由母线电极和指状电极构成,为了达成高效率而必须实现微细图案,但是在印刷以及烧制微细线宽时会造成断线问题并因此导致电气特性的下降。
现有技术文献
专利文献
1.韩国公开专利第2013-0090276号(2013.08.13)
2.韩国公开专利第2013-0104614号(2013.09.25)
发明内容
技术课题
本发明的目的在于提供一种能够稳定地实现电极的微细线宽、防止断线、纵横比优秀、与基板的附着力优秀且能够提升太阳能电池效率的太阳能电池用基板以及太阳能电池。
但是,本发明的目的并不局限于上面所提及的目的,相关行业的从业人员能够通过下述记载进一步明确理解未被提及的其他目的。
解决课题方法
为了解决如上所述的课题,
本发明提供一种太阳能电池用基板,在于基板的上部配备电极的太阳能电池用基板中,上述电极是以包括利用包含第1金属粉末和第1玻璃熔块的导电性浆料印刷形成的下部印刷层以及利用包含第2金属粉末和第2玻璃熔块的导电性浆料印刷形成于上述下部印刷层的上部的上部印刷层的状态烧结形成,上述第2金属粉末的平均粒径(D50)小于上述第2金属粉末的平均粒径(D50),上述第2玻璃熔块的玻璃转换温度高于上述第2玻璃熔块的玻璃转换温度。
此外,提供一种太阳能电池用基板,上述第1金属粉末的平均粒径与上述第2金属粉末的平均粒径之间的差异在大于0.1μm小于0.4μm的范围之内。
此外,提供一种太阳能电池用基板,上述第1玻璃熔块的玻璃转换温度与上述第2玻璃熔块的玻璃转换温度之间的差异在10℃以上40℃以下的范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的