[发明专利]混合玻璃上无源(POG)声学滤波器有效
申请号: | 201780077210.2 | 申请日: | 2017-11-13 |
公开(公告)号: | CN110073595B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | D·F·伯迪;C·H·芸;古仕群;N·S·穆达卡特;M·F·维勒兹;左丞杰;金钟海 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H03H9/05 | 分类号: | H03H9/05 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张曦 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 混合 玻璃 无源 pog 声学 滤波器 | ||
1.一种集成射频电路,包括:
玻璃上无源滤波器,所述玻璃上无源滤波器包括第一裸片,所述第一裸片包括玻璃衬底,所述玻璃衬底包括至少一个无源器件,所述至少一个无源器件包括电感器和电容器中的至少一者;
第二裸片,包括表面声波(SAW)滤波器,所述第二裸片耦合到所述第一裸片的第一表面;以及
第三裸片,包括体声波(BAW)滤波器,所述第三裸片耦合到所述第一裸片的与所述第一表面相对的第二表面,所述第一表面和所述第二表面是平面表面。
2.根据权利要求1所述的集成射频电路,其中所述第一裸片包括集成无源器件(IPD),并且所述第二裸片直接耦合到所述第一裸片的无源器件层。
3.根据权利要求2所述的集成射频电路,其中所述IPD包括二维(2D)无源器件或三维(3D)无源器件。
4.根据权利要求1所述的集成射频电路,其中所述第一裸片包括玻璃上无源(POG)器件,并且所述第二裸片直接耦合到所述第一裸片的所述POG器件。
5.根据权利要求4所述的集成射频电路,其中所述POG器件包括二维(2D)无源器件或三维(3D)无源器件。
6.根据权利要求1所述的集成射频电路,其中所述第三裸片通过穿过所述第一裸片的过孔耦合到所述第二裸片。
7.根据权利要求6所述的集成射频电路,其中所述第一裸片包括玻璃,并且所述过孔包括贯穿玻璃过孔。
8.根据权利要求1所述的集成射频电路,还包括第四裸片,所述第四裸片包括第三声学滤波器,所述第三声学滤波器耦合到所述第一裸片的所述第一表面。
9.根据权利要求1所述的集成射频电路,还包括第五裸片,所述第五裸片包括第四声学滤波器,所述第四声学滤波器耦合到所述第一裸片的所述第二表面。
10.根据权利要求1所述的集成射频电路,被并入复用器中。
11.一种制造集成射频电路的方法,包括:
制造玻璃上无源滤波器,所述玻璃上无源滤波器包括第一裸片,所述第一裸片包括玻璃衬底,所述玻璃衬底包括至少一个无源器件,所述至少一个无源器件包括电感器和电容器中的至少一者;
制造包括表面声波(SAW)滤波器的第二裸片;
将所述第二裸片堆叠在所述第一裸片的第一表面上,所述第二裸片通信地耦合到所述第一裸片;
制造包括体声波(BAW)滤波器的第三裸片;以及
将所述第三裸片堆叠到所述第一裸片的与所述第一表面相对的第二表面,所述第三裸片通信地耦合到所述第一裸片,所述第一表面和所述第二表面是平面表面。
12.根据权利要求11所述的制造集成射频电路的方法,还包括:将所述第二裸片直接耦合到所述第一裸片的无源器件层。
13.根据权利要求11所述的制造集成射频电路的方法,还包括:将所述第二裸片直接耦合到所述第一裸片的玻璃上无源(POG)器件。
14.根据权利要求11所述的制造集成射频电路的方法,还包括:通过穿过所述第一裸片的过孔,将所述第三裸片耦合到所述第二裸片。
15.根据权利要求11所述的制造集成射频电路的方法,还包括:将第四裸片的第三声学滤波器堆叠并且耦合到所述第一裸片的所述第一表面。
16.根据权利要求11所述的制造集成射频电路的方法,还包括:将第五裸片的第四声学滤波器堆叠并且耦合到所述第一裸片的所述第二表面。
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