[发明专利]曝光装置、衬底处理装置、衬底曝光方法及衬底处理方法有效
申请号: | 201780077239.0 | 申请日: | 2017-10-04 |
公开(公告)号: | CN110100301B | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
发明(设计)人: | 福本靖博;大木孝文;松尾友宏;浅井正也;春本将彦;田中裕二;中山知佐世 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 陈甜甜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 装置 衬底 处理 方法 | ||
1.一种曝光装置,具备:
投光部,以能向衬底的被处理面照射真空紫外线的方式设置;
照度计,具有在从所述投光部向衬底照射真空紫外线而对衬底进行处理的照射期间接收一部分真空紫外线的受光面,计测所接收到的真空紫外线的照度;
遮光部,在所述照射期间的衬底处理中,断断续续地遮挡真空紫外线向所述照度计的所述受光面的入射;及
投光控制部,以向衬底照射真空紫外线的方式控制所述投光部,并且基于通过所述照度计所计测出的照度,以停止向衬底照射真空紫外线的方式控制所述投光部。
2.根据权利要求1所述的曝光装置,其中所述照度计设置于在所述照射期间能接收到来自所述投光部的一部分真空紫外线的位置,且
所述遮光部包含:
遮光部件,能以在所述照射期间断断续续地遮挡真空紫外线向所述照度计的所述受光面的入射的方式移动;及
第1驱动部,使所述遮光部件移动。
3.根据权利要求1所述的曝光装置,其中所述遮光部包含使所述照度计交替地移动至第1位置与第2位置的第2驱动部,该第1位置是在所述照射期间能接收到来自所述投光部的一部分真空紫外线的位置,该第2位置是不能接受到来自所述投光部的真空紫外线的位置。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的曝光装置,其中所述投光部构成为向衬底的一面的整体区域及衬底外的区域照射真空紫外线,且
所述照度计于在所述照射期间真空紫外线至少入射至所述受光面时,位于所述衬底外的区域。
5.根据权利要求4所述的曝光装置,其中衬底具有圆形形状,
所述投光部中的真空紫外线的出射部具有矩形形状,该矩形形状内包含相当于衬底的所述整体区域的圆形区域,且
所述照度计的所述受光面是以在所述照射期间能移动至从所述投光部的所述出射部的除了所述圆形区域以外的角部区域出射的真空紫外线所能入射的位置的方式,或以位置固定的方式配置。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的曝光装置,其中所述照度计是以所述受光面位于以所述照射期间的衬底的被处理面为基准的一定高度的方式配置。
7.根据权利要求6所述的曝光装置,其中所述照度计是以所述受光面位于与所述照射期间的衬底的被处理面相同高度的方式配置。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的曝光装置,还具备:
处理室,收容处理对象的衬底;
载置部,在所述处理室内,设置于所述投光部的下方,载置衬底;及
载置控制部,以在所述处理室内与外部之间交接衬底时,使所述载置部移动至第3位置,在所述投光部出射真空紫外线时,使所述载置部移动至所述第3位置上方的第4位置的方式,控制所述载置部。
9.根据权利要求8所述的曝光装置,其中所述照度计追随着所述载置部的移动在上下方向移动。
10.根据权利要求9所述的曝光装置,其中所述载置部包含:
第1部分,载置衬底;及
第2部分,在接收真空紫外线时配置所述照度计。
11.一种衬底处理装置,具备:
涂布处理部,通过对衬底涂布处理液而在衬底形成膜;
热处理部,对通过所述涂布处理部形成有膜的衬底进行热处理;
根据权利要求1至10中任一项所述的曝光装置,将通过所述热处理部加以热处理后的衬底曝光;及
显影处理部,向通过所述曝光装置加以曝光后的衬底供给溶剂,由此使衬底的膜显影。
12.根据权利要求11所述的衬底处理装置,其中处理液含有定向自组装材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团,未经株式会社斯库林集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780077239.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造