[发明专利]激光加工装置及激光加工方法有效
申请号: | 201780077289.9 | 申请日: | 2017-11-22 |
公开(公告)号: | CN110337708B | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 牟礼胜仁;嶋田诚;福冈大岳;土本秀和 | 申请(专利权)人: | 日商斯米特克股份有限公司;住友大阪水泥股份有限公司;浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;B23K26/046;B23K26/70 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 加工 装置 方法 | ||
激光加工装置具备:测定用光源;聚光用透镜;根据在激光入射面被反射的测定用光的反射光,检测激光入射面的位移的位移检测部;及将测定用光及测定用光的反射光的至少任一者的成像状态进行移动的成像状态调整部。位移检测部具有:将测定用光的反射光分支成多个分支反射光的分支部;对多个分支反射光各个附加互相不同的大小的像散量的多个像散附加部;检测附加有像散的多个分支反射光各自的光束形状的多个光束形状检测部;及从多个分支反射光的光路之中,选择对应于由成像状态调整部进行调整的成像状态的一个,根据所选择的分支反射光的光路中的光束形状检测部的检测结果,取得关于位移的信号的信号取得部。
技术领域
本发明的一个方面涉及激光加工装置及激光加工方法。
背景技术
一直以来,已知有一种通过将加工用激光聚光于加工对象物,而在加工对象物形成改质区域的激光加工装置(参照例如专利文献1)。这样的激光加工装置具备:将测定用光出射的测定用光源;将加工用激光及测定用光聚光于加工对象物的聚光用透镜;及根据在加工对象物的激光入射面被反射的测定用光的反射光,检测激光入射面的位移(以下也仅称为“位移”)的位移检测部。位移检测部在测定用光的反射光附加像散(astigmatism),检测附加有像散的反射光的光束形状,根据该检测结果,取得关于位移的信号。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-186825号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在如上所述的激光加工装置中,存在相对于所取得的位移的信号的变动(信号的倾斜)过于平缓的情况。此时,例如若激光入射面为研磨面,则因该研磨痕(也被称为锯痕(saw mark)),测定用光散射,由于产生即使为相同位移,信号也不同的现象,因此所检测的位移的误差变得明显。其结果,有难以精度良好地检测激光入射面的位移的担忧。
本发明的一个方面的目的在于,提供可精度良好地检测激光入射面的位移的激光加工装置及激光加工方法。
解决课题的技术手段
本发明的一个方面所涉及的激光加工装置是通过将加工用激光聚光于加工对象物,而在加工对象物形成改质区域的激光加工装置,具备:测定用光源,其出射测定用光;聚光用透镜,其将加工用激光及测定用光聚光于加工对象物;位移检测部,其根据在加工对象物的激光入射面被反射的测定用光的反射光,检测激光入射面的位移;及成像状态调整部,其将测定用光及测定用光的反射光的至少任一者的成像状态进行移动,位移检测部具有:分支部,其将测定用光的反射光分支成多个分支反射光;多个像散附加部,其设置于多个分支反射光的光路的各个,对多个分支反射光各个附加互相不同的大小的像散量;多个光束形状检测部,其设置于多个分支反射光的光路的各个,检测附加有像散的多个分支反射光各自的光束形状;及信号取得部,其从多个分支反射光的光路之中,选择对应于由成像状态调整部进行调整的成像状态的一个,根据所选择的分支反射光的光路中的光束形状检测部的检测结果,取得关于位移的信号。
本发明人等不断精心研究,发现了所取得的信号的倾斜与测定用光及测定用光的反射光的至少任一者的成像状态存在相关。此外,作为信号的倾斜过于平缓的主要原因,发现了起因于该成像状态与附加到反射光的像散量的失配。因此,在本发明的一个方面所涉及的激光加工装置中,将测定用光的反射光分支成多个分支反射光,检测在各分支反射光的光路附加有彼此不同的大小的像散量的分支反射光的光束形状。接着,从多个分支反射光的光路之中,选择对应于由成像状态调整部进行移动的成像状态的一个,取得基于所选择的该光路的分支反射光的光束形状的信号。由此,可将附加于所取得的信号所涉及的分支反射光的像散量设为对应于成像状态的像散量。可抑制所取得的信号的倾斜变得过于平缓。因此,可精度良好地检测激光入射面的位移。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造