[发明专利]电荷传输层及有机光电子元件

权利要求书

1.一种电荷传输层，其由包含含氟聚合物及半导体材料的膜形成，

所述膜具有使△E_th达到0.010～0.080MV/cm的范围的材料组成，

其中，

所述△E_th为用式△E_th＝E_th(A)-E_th(B)计算出的值，

所述E_th(A)为在下述HOD中仅由所述半导体材料形成测定膜时的阈值电场，

所述E_th(B)为在下述HOD中仅由所述膜形成测定膜时的阈值电场，

所述阈值电场为流通基准的0.0001倍的电流密度时的电场的值，所述基准是指：在下述HOD中，对ITO电极和Al电极之间施加0.8MV/cm的电场时流通的单位为mA/cm²的电流密度Js，

HOD是仅包含如下的层结构“玻璃基板/100nm厚的ITO电极/5nm厚的MoO₃/100nm厚的测定膜/100nm厚的Al电极”的仅空穴器件。

2.根据权利要求1所述的电荷传输层，其中，所述膜的含氟率R_F-mix为5～45％，

其中，所述含氟率R_F-mix为式R_F-mix＝R_F-P×R_P所示的乘积值，

所述式中的R_F-P为所述膜中所含的含氟聚合物的以质量％计的氟原子含有率，

所述式中的R_P为所述膜中的含氟聚合物的以体积％计的含有率。

3.根据权利要求2所述的电荷传输层，其中，所述含氟聚合物的氟原子含有率R_F-P为20～77质量％。

4.根据权利要求2或3所述的电荷传输层，其中，所述膜中的含氟聚合物的含有率R_P为20～65体积％。

5.根据权利要求1或2所述的电荷传输层，其中，所述含氟聚合物的波长450～800nm下的折射率为1.5以下。

6.根据权利要求1或2所述的电荷传输层，其中，所述含氟聚合物为全氟聚合物。

7.根据权利要求6所述的电荷传输层，其中，所述全氟聚合物为具有可环化聚合的全氟二烯发生环化聚合而成的单元的全氟聚合物。

8.根据权利要求7所述的电荷传输层，其中，所述全氟二烯为全氟(3-丁烯基乙烯基醚)。

9.一种有机光电子元件，其具备权利要求1～8中任一项所述的电荷传输层。

10.根据权利要求9所述的有机光电子元件，其中，所述光电子元件为有机EL元件。

11.根据权利要求10所述的有机光电子元件，其中，所述有机EL元件具备：阳极；与所述阳极相对设置的阴极；设置在所述阳极与阴极之间的发光层；和，设置在所述阳极的所述发光层侧的所述电荷传输层。

12.根据权利要求10或11所述的有机光电子元件，其中，所述有机EL元件具备：阳极；与所述阳极相对设置的阴极；设置在所述阳极与阴极之间的发光层；设置在所述阳极的所述发光层侧的空穴注入层；和，设置在所述空穴注入层的所述发光层侧的空穴传输层，所述空穴注入层及所述空穴传输层中的至少一者为所述电荷传输层。