[发明专利]摄像元件、摄像装置以及内窥镜有效
申请号: | 201780077813.2 | 申请日: | 2017-09-06 |
公开(公告)号: | CN110089108B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 原田靖也;平出修三;大泽雅人;足立理 | 申请(专利权)人: | 奥林巴斯株式会社 |
主分类号: | H04N5/378 | 分类号: | H04N5/378;A61B1/04;G02B23/24;H04N5/374 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 元件 装置 以及 内窥镜 | ||
提供一种能够最大限度地使用由源极跟随器电路输出的摄像信号的电平的摄像元件、摄像装置以及内窥镜。摄像元件(21)具备:多个像素(230);噪声去除部(243),其用于去除摄像信号中包含的噪声成分;多个列源极跟随器缓冲器(244),其将由噪声去除部(243)去除噪声成分后的摄像信号进行放大输出;水平扫描部(245),其对多个列源极跟随器缓冲器(244)依次进行选择,使输出摄像信号;以及缓冲器部(25),其通过与由水平扫描部(245)依次选择的列源极跟随器缓冲器(244)连接而形成电压跟随器电路,对从列源极跟随器缓冲器(244)输出的摄像信号的电压进行阻抗转换后输出到外部。
技术领域
本发明涉及一种被导入到被检体内并生成该被检体的图像数据的摄像元件、摄像装置以及内窥镜。
背景技术
以往,已知如下一种技术(参照专利文献1):使用针对CMOS(Complementary MetalOxide Semiconductor:互补金属氧化物半导体)图像传感器的摄像元件的像素的每一列设置的读出电路内的源极跟随器电路,将来自像素的摄像信号进行放大后输出到A/D转换部。
专利文献1:日本特开2010-16782号公报
发明内容
另外,在源极跟随器电路中,作为防止因制造时的PVT(Process VoltageTemperature:工艺电压温度)的偏差而产生的所输出的摄像信号的偏差的应对措施,需要针对时输出的摄像信号设置固定的容许范围,并以使摄像信号的输出电平收敛于该容许范围的方式进行输出。因此,在上述的专利文献1中,存在如下的问题点:在从源极跟随器电路向A/D转换电路、缓冲器等后级侧的设备输出摄像信号的情况下,源极跟随器电路以使所输出的摄像信号的输出电平收敛于容许范围的方式进行输出,因此摄像信号的输出电平的宽度变窄,从而无法最大限度地使用由源极跟随器电路输出的摄像信号的输出电平。
本发明是鉴于上述情形而完成的,其目的在于提供一种能够最大限度地使用由源极跟随器电路输出的摄像信号的输出电平的摄像元件、摄像装置以及内窥镜。
为了解决上述的问题并实现目的,本发明所涉及的摄像元件的特征在于,具备:多个像素,所述多个像素被配置成二维矩阵状,接收来自外部的光并对该光进行光电转换,来生成摄像信号;噪声去除部,其是针对所述多个像素的配置中的每一列设置的,用于去除所述摄像信号中包含的噪声成分;多个列源极跟随器缓冲器,所述多个列源极跟随器缓冲器是针对所述多个像素的配置中的每一列设置的,用于将由所述噪声去除部去除所述噪声成分后的所述摄像信号进行放大输出;水平扫描部,其对所述多个列源极跟随器缓冲器依次进行选择,使被选择的列源极跟随器缓冲器输出所述摄像信号;以及缓冲器部,其通过与由所述水平扫描部依次选择的所述列源极跟随器缓冲器连接而形成电压跟随器电路,对从所述列源极跟随器缓冲器输出的所述摄像信号的电压进行阻抗转换后输出到外部。
另外,本发明所涉及的摄像元件的特征在于,在上述发明中,所述缓冲器部具有:第一恒流源,其用于读出由所述噪声去除部去除所述噪声成分后的所述摄像信号;第一晶体管,其源极端子连接于所述列源极跟随器缓冲器,栅极端子连接于用于向外部传输所述摄像信号的信号线;第二晶体管,其源极端子连接于接地电压,漏极端子连接于所述第一晶体管的漏极端子和所述信号线;第三晶体管,其源极端子连接于接地电压;以及第二恒流源,其连接于所述第三晶体管的漏极端子、所述第三晶体管的栅极端子以及所述第二晶体管的栅极端子。
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