[发明专利]使用金属纳米粒子局部化表面等离子体的光谱发射修改

权利要求书

1.一种用于工程改造电致发光装置中的有机发射材料的发射光谱的线形的方法，其中所述电致发光装置包括阳极层、阴极层和安置于所述阳极层和所述阴极层之间的发射层，其中在所述发射层中提供有机发射材料，所述方法包括：

提供一层具有局部化表面等离子体共振LSPR的等离子体金属纳米结构，其中所述等离子体金属纳米结构层距离所述发射层大于2nm但小于100nm，并且所述等离子体金属纳米结构层的LSPR的最大消光波长在所述有机发射材料的峰值发射波长的±10nm内，从而减少所述有机光发射材料的所述发射光谱中的任何二次发射峰。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体金属纳米结构层的LSPR的最大消光波长在所述有机发射材料的峰值发射波长的±5nm内。

3.一种根据权利要求1或2所述的方法制备的电致发光装置，其包括：

阳极层；

阴极层：和

安置于所述阳极层和所述阴极层之间的层堆叠，所述层堆叠包含：

包括有机发射材料的发射层，所述有机发射材料具有发射波长；和

安置有所述层堆叠的第一层等离子体金属纳米结构，其具有局部化表面等离子体共振LSPR，其中所述等离子体金属纳米结构层与所述发射层的距离大于2nm但小于100nm，并且其中所述等离子体金属纳米结构层的LSPR的最大消光波长被调整为在所述有机发射材料的峰值发射波长的±10nm内，从而修改所述有机发射材料的发射光谱的线形。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述等离子体金属纳米结构层的LSPR的最大消光波长被调整为在所述有机发射材料的峰值发射波长的±5nm内。

5.根据权利要求3所述的装置，其中所述层堆叠包括安置于所述发射层和所述阳极层之间的空穴传输层HTL，并且

其中所述第一层等离子体金属纳米结构安置于所述HTL和所述阳极层之间。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述第一层等离子体金属纳米结构具有一定厚度并且所述厚度经选择以使得所述第一层等离子体金属纳米结构的LSPR的最大消光波长在所述有机发射材料的峰值发射波长的±10nm内。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述第一层等离子体金属纳米结构的所述LSPR的最大消光波长在所述有机发射材料的峰值发射波长的±5nm内。

8.根据权利要求5所述的装置，其中所述第一层等离子体金属纳米结构具有一定厚度并且包括多个具有一定粒度的等离子体金属纳米结构，其中所述粒度经选择以使得所述第一层等离子体金属纳米结构的LSPR的最大消光波长在所述有机发射材料的峰值发射波长的±10nm内。

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述第一层等离子体金属纳米结构的所述LSPR的最大消光波长在所述有机发射材料的峰值发射波长的±5nm内。

10.根据权利要求3所述的装置，其中所述层堆叠包括安置于所述发射层和所述阴极层之间的电子传输层ETL，

其中所述第一层等离子体金属纳米结构安置于所述ETL和所述阴极层之间。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述第一层等离子体金属纳米结构具有一定厚度并且所述厚度经选择以使得所述第一层等离子体金属纳米结构的LSPR的最大消光波长在所述有机发射材料的峰值发射波长的±10nm内。

12.根据权利要求10所述的装置，其中所述第一层等离子体金属纳米结构具有一定厚度并且包括多个具有一定粒度的等离子体金属纳米结构，其中所述粒度经选择以使得所述第一层等离子体金属纳米结构的LSPR的最大消光波长在所述有机发射材料的峰值发射波长的±10nm内。