[发明专利]用于离子束装置的气体注入系统及制造其的萃取板的方法有效
申请号: | 201780078300.3 | 申请日: | 2017-11-10 |
公开(公告)号: | CN110088873B | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 杰伊·R·沃利斯;厄尼斯特·E·艾伦;理查德·J·赫尔特;艾立克斯恩德·C·刚特司;梁树荣;杰佛瑞·E·卡兰波特;泰勒·洛克威尔 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01J37/02;H01J37/305 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 离子束 装置 气体 注入 系统 制造 萃取 方法 | ||
1.一种用于离子束装置的气体注入系统,其特征在于,所述气体注入系统包括萃取板,所述萃取板具有萃取开孔以允许离子束通过所述萃取板,所述萃取板还具有形成在所述萃取板中的气体狭槽以利于从所述萃取板逐出气体。
2.根据权利要求1所述的用于离子束装置的气体注入系统,其特征在于,还包括气体导管,所述气体导管在所述气体狭槽与安装到所述萃取板的气体歧管之间延伸穿过所述萃取板。
3.根据权利要求2所述的用于离子束装置的气体注入系统,其特征在于,还包括与所述气体歧管流体连通地连接的第一气体源,所述第一气体源容纳第一残余物移除气体。
4.根据权利要求3所述的用于离子束装置的气体注入系统,其特征在于,还包括与所述气体歧管流体连通地连接的第二气体源,所述第二气体源容纳与所述第一残余物移除气体不同的第二残余物移除气体。
5.根据权利要求2所述的用于离子束装置的气体注入系统,其特征在于,所述气体导管是由从所述萃取板的边缘延伸穿过所述萃取板的孔来界定。
6.根据权利要求2所述的用于离子束装置的气体注入系统,其特征在于,所述气体导管是由在所述萃取板的前表面及后表面中的至少一者中形成的通道来界定。
7.根据权利要求2所述的用于离子束装置的气体注入系统,其特征在于,所述气体歧管包括能够在第一位置与第二位置之间选择性地调节的阀门,在所述第一位置中允许所述气体流动到所述萃取板中,在所述第二位置中所述气体能够从所述萃取板排出到周围大气。
8.根据权利要求7所述的用于离子束装置的气体注入系统,其特征在于,还包括耦合到所述气体歧管的歧管罩,所述歧管罩包括能够电子控制的驱动机构,能够电子控制的所述驱动机构耦合所述阀门且适于将所述阀门在所述第一位置与所述第二位置之间移动。
9.根据权利要求1所述的用于离子束装置的气体注入系统,其特征在于,所述气体狭槽是位于所述萃取开孔的第一侧上的第一气体狭槽,所述气体注入系统还包括位于所述萃取开孔的与所述第一侧相对的第二侧上的第二气体狭槽。
10.一种制造气体注入系统的萃取板的方法,其特征在于,包括:
在板中形成细长的萃取开孔;
在所述板上邻近所述萃取开孔处形成气体狭槽;以及
在所述板中形成导管网络,以使所述气体狭槽与气体源流体连通,所述导管网络包括与所述气体狭槽相交的狭槽导管。
11.根据权利要求10所述的制造气体注入系统的萃取板的方法,其特征在于,所述导管网络还包括:
歧管导管,从所述板的边缘延伸;以及
互连导管,在所述歧管导管与所述狭槽导管之间延伸。
12.根据权利要求10所述的制造气体注入系统的萃取板的方法,其特征在于,形成所述导管网络包括:在与所述板的主表面平行的方向上在所述板中进行交叉钻孔而形成孔。
13.根据权利要求10所述的制造气体注入系统的萃取板的方法,其特征在于,形成所述导管网络包括:将通道敷设到所述板的表面中。
14.根据权利要求10所述的制造气体注入系统的萃取板的方法,其特征在于,所述气体狭槽是第一气体狭槽,所述制造气体注入系统的萃取板的方法还包括:在所述板中在与所述气体狭槽相对且邻近所述萃取开孔处形成第二气体狭槽。
15.根据权利要求14所述的制造气体注入系统的萃取板的方法,其特征在于,所述气体源是第一气体源且所述导管网络是第一导管网络,所述制造气体注入系统的萃取板的方法还包括:在所述板中形成第二导管网络,以使所述第二气体狭槽与和所述第一气体源不同的第二气体源流体连通。
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