[发明专利]气流溅射装置、气流溅射用靶以及溅射靶原料的制造方法有效
申请号: | 201780078345.0 | 申请日: | 2017-12-11 |
公开(公告)号: | CN110088352B | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 小庄孝志;高见英生;中村祐一郎;武智幹雄;三上智广 | 申请(专利权)人: | JX金属株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;G11B5/851 |
代理公司: | 北京伟思知识产权代理事务所(普通合伙) 11725 | 代理人: | 聂宁乐;胡瑾 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气流 溅射 装置 以及 原料 制造 方法 | ||
1.一种气流溅射装置,其具备:
溅射室,其内部能够成为真空;
一对平板靶,其隔着间隔以彼此的溅射面对置的方式配置在所述溅射室内;
一个或两个以上的气体排出口,其用于在所述一对平板靶之间供应溅射气体;
用于排出溅射气体的排气口;
堆积溅射粒子的部件,其以面向气体排出口的方式隔着一对平板靶之间的空间部配置成位于气体排出口的相反侧;
间隔调节机构,其能够调节所述一对平板靶的间隔,使溅射处理中的所述一对平板靶的平均间隔的变化幅度为5mm以下。
2.如权利要求1所述的气流溅射装置,其特征在于,具备位置调节机构,其能够相对地调节所述一个或两个以上的气体排出口与所述一对平板靶之间的位置。
3.如权利要求1或2所述的气流溅射装置,其特征在于,具备流量调节机构,其用于对从所述一个或两个以上的气体排出口供应的溅射气体的流量进行调节。
4.如权利要求1或2所述的气流溅射装置,其特征在于,具备两个以上的气体排出口。
5.如权利要求1或2所述的气流溅射装置,其特征在于,具备一个或两个以上的气体排出单元,该气体排出单元中排列有两个以上的气体排出口。
6.如权利要求1或2所述的气流溅射装置,其特征在于,所述间隔调节机构设置在所述溅射室的外部。
7.如权利要求6所述的气流溅射装置,其特征在于,通过伸缩部件划分所述溅射室的内部的一部分与所述溅射室的外部的边界,所述伸缩部件配置成能够随着所述间隔调节机构的动作而伸缩且具有大气阻隔性能。
8.如权利要求1或2所述的气流溅射装置,其特征在于,所述间隔调节机构具备与所述一对平板靶中的至少一者相连的能够手动操作的驱动机构。
9.如权利要求1或2所述的气流溅射装置,其特征在于,所述间隔调节机构具备与所述一对平板靶中的至少一者相连的电机驱动机构。
10.如权利要求1或2所述的气流溅射装置,其特征在于,所述间隔调节机构构成为,能够至少基于放电时间和累计功率调节所述一对平板靶的间隔。
11.如权利要求1或2所述的气流溅射装置,其特征在于,溅射开始前的所述一对平板靶的间隔为10~100mm。
12.如权利要求1或2所述的气流溅射装置,其特征在于,所述一对平板靶的对置面的总投影面积为300cm2以上。
13.如权利要求1或2所述的气流溅射装置,其特征在于,能够在功率密度为10W/cm2以上的条件下进行放电。
14.如权利要求1或2所述的气流溅射装置,其特征在于,所述一对平板靶由非磁性材料以及磁性材料的复合体构成。
15.一种气流溅射靶原料的制造方法,其包括使用如权利要求1至14中任一项所述的气流溅射装置进行溅射的步骤,
还包括操作间隔调节机构以使从溅射开始到溅射结束为止一对平板靶之间的平均间隔的变化为5mm以下的步骤。
16.如权利要求15所述的制造方法,其特征在于,将功率密度设为10W/cm2以上进行溅射。
17.如权利要求15或16所述的制造方法,其特征在于,用每1cm2的一对平板靶的对置的溅射面的总投影面积上的流量表示,将溅射气体的流量设置为1sccm/cm2以上进行溅射。
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