[发明专利]组合物、膜、层叠结构体、发光装置及显示器

权利要求书

1.一种具有发光性的组合物，其包含(1)及(2)，并且还包含(3)及(4)中的至少一者，

(1)半导体微粒；

(2)卤代烃化合物；

(3)溶剂；

(4)选自聚合性化合物及聚合物中的至少1种，

所述(1)为以A、B及X作为构成成分的钙钛矿化合物的微粒，

A是在钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的六面体的各顶点的成分，其是1价阳离子，

X表示在钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的八面体的各顶点的成分，其是选自卤化物离子及硫氰酸根离子中的1种以上阴离子，

B是在钙钛矿型晶体结构中位于将A配置于顶点的六面体及将X配置于顶点的八面体的中心的成分，其是金属离子，

所述(2)为下述通式(A5-1)～(A5-3)中任一者所示的化合物，

R¹⁴-C≡C-Y…(A5-3)

所述通式(A5-1)～(A5-3)中，C-Y表示卤代烃基，C表示碳原子，R¹⁴～R¹⁶分别独立地表示氢原子、任选地具有取代基的烷基或任选地具有取代基的环烷基，所述取代基为烷氧基甲硅烷基，

所述(2)与所述钙钛矿化合物的B的金属离子的摩尔比为10～500。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述通式(A5-1)～(A5-3)中，Y为溴原子。

3.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述(1)及所述(2)相对于所述组合物总质量的合计含量为0.001质量％～10质量％。

4.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述(2)与所述钙钛矿化合物的B的金属离子的摩尔比为10～245。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的组合物，其中，所述钙钛矿化合物的微粒的A的1价阳离子为铯离子或脒鎓离子。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的组合物，其中，

所述钙钛矿化合物的微粒为具有下述通式(1)所示三维结构的钙钛矿化合物的微粒：

ABX_(3+δ) -0.7≤δ≤0.7 (1)。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的组合物，其还包含(5)选自氨、胺、羧酸以及它们的盐或离子中的至少1种。

8.一种组合物，其是包含(1)、(2)及(4’)的组合物，其中，(1)、(2)及(4’)的合计含量相对于所述组合物的总质量为90质量％以上，

(1)半导体微粒；

(2)卤代烃化合物；

(4’)聚合物，

所述(1)为以A、B及X作为构成成分的钙钛矿化合物的微粒，

A是在钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的六面体的各顶点的成分，其是1价阳离子，

X表示在钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的八面体的各顶点的成分，其是选自卤化物离子及硫氰酸根离子中的1种以上阴离子，

B是在钙钛矿型晶体结构中位于将A配置于顶点的六面体及将X配置于顶点的八面体的中心的成分，其是金属离子，

所述(2)为下述通式(A5-1)～(A5-3)中任一者所示的化合物，

R¹⁴-C≡C-Y…(A5-3)

所述通式(A5-1)～(A5-3)中，C-Y表示卤代烃基，C表示碳原子，R¹⁴～R¹⁶分别独立地表示氢原子、任选地具有取代基的烷基或任选地具有取代基的环烷基，所述取代基为烷氧基甲硅烷基，

所述(2)与所述钙钛矿化合物的B的金属离子的摩尔比为10～500。

9.根据权利要求8所述的组合物，其中，所述通式(A5-1)～(A5-3)中，Y为溴原子。

10.根据权利要求8所述的组合物，其中，所述(1)及所述(2)相对于所述组合物总质量的合计含量为0.001质量％～10质量％。