[发明专利]光集成元件以及光发送机模块

权利要求书

1.一种光集成元件，其特征在于，具备：

基板；

无源波导区域，在所述基板上依次层叠折射率比所述基板高的第2芯层、折射率比所述第2芯层低的下部包覆层、折射率比所述下部包覆层高的第1芯层、以及折射率比所述第1芯层低的上部包覆层而成；和

活性区域，在所述基板上依次层叠所述第2芯层、所述下部包覆层、所述第1芯层、通过注入电流来对光进行放大的量子阱层、以及所述上部包覆层而成，

所述第1芯层与所述量子阱层之间在所述第1芯层中进行波导的光的模场的范围内相接近，

在所述第1芯层与所述量子阱层之间，具备与所述第1芯层以及所述量子阱层不同的组成的中间层，

所述无源波导区域的至少一部分以及所述活性区域具有所述上部包覆层突出为台面状的第1台面构造，

所述无源波导区域包含第2光点尺寸变换区域，所述第2光点尺寸变换区域除了所述第1台面构造，还具有所述第1芯层、所述下部包覆层以及所述第2芯层突出为台面状的第2台面构造，

所述第2台面构造的宽度比所述第1台面构造的宽度宽，并且在具有所述第2台面构造的所述无源波导区域中，所述第1台面构造的宽度随着接近于端面而宽度连续地减少。

2.根据权利要求1所述的光集成元件，其特征在于，

所述中间层是与所述下部包覆层或者所述上部包覆层相同的组成。

3.根据权利要求2所述的光集成元件，其特征在于，

所述无源波导区域包含所述第1芯层的层厚减少的第1光点尺寸变换区域。

4.根据权利要求1所述的光集成元件，其特征在于，

所述无源波导区域包含所述第1芯层的层厚减少的第1光点尺寸变换区域。

5.根据权利要求4所述的光集成元件，其特征在于，

在所述第1光点尺寸变换区域与所述第2光点尺寸变换区域之间，配置有所述活性区域。

6.根据权利要求5所述的光集成元件，其特征在于，

所述第2光点尺寸变换区域与该光集成元件的端面邻接地被配置。

7.根据权利要求6所述的光集成元件，其特征在于，

所述第2光点尺寸变换区域中的所述第1台面构造的宽度不延伸设置到所述端面而在中途成为零。

8.根据权利要求4所述的光集成元件，其特征在于，

所述无源波导区域的另一部分包含所述第1光点尺寸变换区域，并且具有所述上部包覆层、所述第1芯层和所述下部包覆层的一部分突出为台面状的高台面构造，

所述第1台面构造与所述高台面构造被光学地连接。

9.根据权利要求8所述的光集成元件，其特征在于，

在所述基板上具备调制器区域，所述调制器区域作为对波导的光的相位进行调制的相位调制器发挥功能。

10.根据权利要求9所述的光集成元件，其特征在于，

在所述调制器区域对光进行波导的调制器芯层与所述第1芯层对接接合。

11.一种光集成元件，其特征在于，具备：

基板；

无源波导区域，在所述基板上依次层叠下部包覆层、折射率比所述下部包覆层高的第1芯层、以及折射率比所述第1芯层低的上部包覆层而成；和

活性区域，在所述基板上依次层叠所述下部包覆层、所述第1芯层、通过注入电流来对光进行放大的量子阱层、以及所述上部包覆层而成，

所述第1芯层与所述量子阱层之间在所述第1芯层中进行波导的光的模场的范围内相接近，

在所述第1芯层与所述量子阱层之间，具备与所述第1芯层以及所述量子阱层不同的组成的中间层，

所述无源波导区域包含所述第1芯层的层厚减少的第1光点尺寸变换区域。