[发明专利]借助相容剂制造含硅氧烷的嵌段共聚碳酸酯

权利要求书

1.制造聚硅氧烷-聚碳酸酯嵌段共缩合物的方法，其中

A）至少一种聚碳酸酯在熔体中与

B）至少一种羟基芳基封端的聚硅氧烷在使用

C）添加剂的情况下反应，所述添加剂选自以下的至少一种：含有芳族取代基的硅氧烷组分C1和获自至少组分A）和B）的反应的聚硅氧烷-聚碳酸酯嵌段共缩合物组分C2或不同于获自至少组分A）和B）的反应的产物的聚硅氧烷-聚碳酸酯嵌段共缩合物组分C2，

其中所述方法包括向组分A）中、向组分B）中和/或向组分A）和B）的混合物中添加组分C）的步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，其中组分B）是式（1）的羟基芳基封端的(聚)硅氧烷，

其中

R⁵代表氢或C1至C4烷基，

R⁶和R⁷相互独立地代表C1至C4烷基，

Y代表单键、-CO-、-O-、C1至C5亚烷基、C2至C5烷叉基或代表C5至C6环烷叉基残基，其可以被C1至C4烷基单取代或多取代，

V代表氧、C1-C6亚烷基或C2至C5烷叉基，

W代表单键、氧、C1至C6亚烷基或C2至C5烷叉基，其中如果q代表1的话W不是单键，如果q为0的话，那么W不是氧，

p和q相互独立地各自代表0或1，

o代表10至400的重复单元平均数，且

m代表1至6的重复单元平均数。

3.根据权利要求2所述的方法，其中

R⁵代表氢或甲基，

R⁶和R⁷相互独立地代表甲基，

Y代表单键、-O-、异丙叉基或代表C5至C6环烷叉基残基，其可以被C1至C4烷基单取代或多取代，

V代表氧、C3-烷叉基，

W代表单键、氧、C3亚烷基或异丙叉基，

o代表10至100的重复单元平均数，且

m代表2至5的重复单元平均数。

4.根据权利要求1所述的方法，其中组分B）是式（2）或（3）的羟基芳基封端的(聚)硅氧烷：

其中R1代表氢、Cl、Br、C1-C4烷基，

R2独立地代表芳基或烷基，

X代表单键、C1至C5亚烷基、C2至C5烷叉基、C5至C12环烷叉基、-O-、-SO-、-CO-、-S-、-SO2-，

n是10至150的数字，且

m代表1至10的数字。

5.根据权利要求4所述的方法，其中

R1代表氢或甲基，

R2独立地代表甲基，

X代表单键、异丙叉基、C5至C12环烷叉基或氧。

6.根据权利要求1所述的方法，其中组分C）是具有结构（8）的含芳族基团的直链硅氧烷或具有式（9）的环状硅氧烷作为构建嵌段：

结构（8）：

其中R相互独立地代表未取代的或单至四C1至C4烷基取代的芳基；

结构（9）

其中Ra、Rb和Rc相互独立地代表至少一个选自芳基和烷基的残基，且n是1至10的整数。

7.根据权利要求6所述的方法，其中R相互独立地代表未取代的或单至三甲基取代的苯基；其中Ra、Rb和Rc相互独立地代表苯基或甲基，且n是1至5的整数。

8.根据权利要求1所述的方法，其中硅氧烷嵌段衍生自以下结构：

其中p代表1至5，

R2独立地代表芳基或烷基，

n代表10至150的平均数，

m代表1至10的数字，

a代表10至400的平均数，且

R3相互独立地包含以下结构

其中R4相互独立地代表氢、卤素和/或在各种情况下为C1至C10烷基，且e为2至12的整数。