[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一发光结构，所述第一发光结构被布置在所述衬底上，所述第一发光结构包括第一导电类型的第一半导体层；第一有源层，所述第一有源层被布置在所述第一半导体层上；以及第二导电类型的第二半导体层，所述第一发光结构提供通过所述第二半导体层和所述有源层的第一通孔以暴露所述第一半导体层；

第二发光结构，所述第二发光结构被布置在所述衬底上并且与所述第一发光结构间隔开，所述第二发光结构包括第一导电类型的第三半导体层；第二有源层，所述第二有源层被布置在所述第三半导体层上；以及第二导电类型的第四半导体层；

第一反射电极，所述第一反射电极被布置在所述第一发光结构的第二半导体层上；

第二反射电极，所述第二反射电极被布置在所述第二发光结构的第四半导体层上；

连接电极，所述连接电极被电连接到所述第一发光结构的第二半导体层和所述第二发光结构的第三半导体层；

第一电极焊盘，所述第一电极焊盘被布置在所述第一发光结构上并且通过所述第一发光结构的第一通孔被电连接到所述第一半导体层；以及

第二电极焊盘，所述第二电极焊盘被布置在所述第二发光结构上并且被电连接到所述第二反射电极；

所述连接电极包括：主电极；第一分支电极，所述第一分支电极被直接连接到所述主电极；第二分支电极，所述第二分支电极从所述第一分支电极的端部延伸；第三分支电极，所述第三分支电极从所述第一分支电极的另一端部延伸；以及第四分支电极，连接所述第二分支电极和所述第三分支电极；

其中，所述第一分支电极、所述第二分支电极、所述第三分支电极和所述第四分支电极被布置在所述第三半导体层上；

其中，所述第一分支电极、所述第二分支电极、所述第三分支电极和所述第四分支电极被布置在所述第二发光结构周围，以提供闭环。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一电极焊盘、所述第一半导体层、所述第二半导体层、所述连接电极、所述第三半导体层、所述第四半导体层和所述第二电极焊盘被串联电连接。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：

第一欧姆接触层，所述第一欧姆接触层被布置在所述第一反射电极和所述第二半导体层之间；以及

第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层被布置在所述第二反射电极和所述第四半导体层之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述连接电极与所述第三半导体层的上表面和所述第一反射电极的上表面接触。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述连接电极被布置在彼此面对的所述第一发光结构的侧表面和所述第二发光结构的侧表面之间。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述主电极的第一区域被布置在所述第二半导体层上，并且所述主电极的第二区域被布置在所述第一发光结构的侧表面和所述第二发光结构的侧表面之间。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：第一绝缘层，所述第一绝缘层提供用于暴露所述第三半导体层的上表面的接触区域，以及

其中，通过所述接触区域来电连接所述第一分支电极、所述第二分支电极、所述第三分支电极和所述第三半导体层。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一分支电极、所述第二分支电极和所述第三分支电极被布置为通过所述接触区域与所述第三半导体层的上表面接触。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘层包括第二通孔，所述第二通孔暴露所述第一半导体层的上表面，

还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层被布置在所述第一绝缘层上并且提供第三通孔，所述第三通孔被连接到所述第二通孔并且暴露所述第一半导体层的上表面，以及

其中，所述第一电极焊盘通过所述第二通孔和所述第三通孔被电连接到所述第一半导体层。