[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

处理室，其对基板进行处理；

处理气体喷嘴，其将处理气体供给至上述处理室内；

惰性气体喷嘴，其以上述基板的中心部的惰性气体浓度比上述基板的端部的惰性气体浓度低的方式仅将惰性气体供给至上述处理室内；以及

排气管，其将上述处理室内的环境气体排出。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述处理气体喷嘴与上述惰性气体喷嘴在上述晶圆的周向上相隔预定距离而设置。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

将连结上述处理气体喷嘴与上述排气管的第一直线和连结上述惰性气体喷嘴与上述基板的中心的第二直线所成的角设为θ，以上述θ成为根据上述基板的表面积而决定的值的方式，设置上述处理气体喷嘴与上述惰性气体喷嘴。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

上述基板的表面积越大则上述θ越大，上述基板的表面积越小则上述θ越小。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

以向上述基板的中心方向喷出上述惰性气体的方式设置上述惰性气体喷嘴。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

设置两根上述惰性气体喷嘴。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

两根上述惰性气体喷嘴在将上述第一直线作为边界线而划分的各个区域中各设置一根。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

两根上述惰性气体喷嘴相对于上述边界线呈线对称地设置。

9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

向对基板进行处理的处理室内搬入上述基板的工序；

从处理气体喷嘴向上述处理室内供给处理气体并对上述基板进行处理的工序，

在对上述基板进行处理的工序中，以上述基板的中心部的惰性气体浓度比上述基板的端部的惰性气体浓度低的方式，从惰性气体喷嘴向上述处理室内供给惰性气体。

10.一种程序，其特征在于，通过计算机使基板处理装置执行以下步骤：

将基板搬入至上述基板处理装置的处理室内的步骤；

从处理气体喷嘴向上述处理室内供给处理气体并对上述基板进行处理的步骤；以及

在对上述基板进行处理的步骤中，以上述基板的中心部的惰性气体浓度比上述基板的端部的惰性气体浓度低的方式，从惰性气体喷嘴向上述处理室内供给惰性气体的步骤。

11.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

反应管，其在内部具有对基板进行处理的处理室；

第一气体喷嘴，其将处理气体供给至上述处理室内；

第二气体喷嘴，其以上述基板的中心部的惰性气体浓度比上述基板的端部的惰性气体浓度低的方式将惰性气体供给至上述处理室内；以及

排气部，其将上述处理室内的环境气体排出，

上述反应管形成有第一突出部及第二突出部，上述第一突出部以收纳上述第一气体喷嘴的方式向外侧突出，上述第二突出部以收纳上述第二气体喷嘴的方式向外侧突出。

12.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

反应管；

内壁，其在内侧具有对基板进行处理的处理室，且设置于反应管的内部；

第一气体喷嘴，其将处理气体供给至上述处理室内；

第二气体喷嘴，其以上述基板的中心部的惰性气体浓度比上述基板的端部的惰性气体浓度低的方式将惰性气体供给至上述处理室内；以及

排气部，其将上述处理室内的环境气体排出，

上述内壁呈以下形状，即以在与上述第一气体喷嘴对向的部分形成局部的开口且上述第一气体喷嘴及上述第二气体喷嘴不与上述内壁干涉的方式，使上述第一气体喷嘴及上述第二气体喷嘴的设置部分局部地向外侧突出。