[发明专利]通过层转移制造微发光二极管(LED)

权利要求书

1.一种方法，包括：

在供体基材上生长晶体半导体材料，所述材料的穿透位错密度(TDD)随厚度而下降；

将多种粒子植入到所述材料的暴露面中以产生表面下解理区域；

将所述暴露面结合到基材上；

施加能量以沿着解理面解理所述材料从而留下结合到所述基材上的层；和

处理所述层以结合到微发光二极管(LED)结构中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述材料包括c-平面极性GaN；和

所述暴露面包括所述c-平面极性GaN的N面。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述材料包括c-平面极性GaN；和

所述暴露面包括所述c-平面极性GaN的Ga面。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述结合包括临时结合，并且所述基材包括操作基材，所述方法进一步包括：

将所述层永久结合到靶基材上；和

从所述操作基材释放所述层，其中处理所述层包括将所述靶基材结合到所述微-LED结构中。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述微发光二极管(LED)结构利用下转换材料产生彩色光。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述层的TDD为1×10⁷cm^-2或更低。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述供体基材包括GaN、碳化硅、硅、蓝宝石、和AlN中的至少一种作为具有暴露表面的外延生长种子层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述供体基材包括多晶氮化铝。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶体半导体材料包括GaN、GaAs、ZnSe、SiC、InP、和GaP中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述微发光二极管(LED)结构利用下转换材料产生彩色光。

11.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述层包括移除所选区域中的所述层以限定多个单独的光学活性区域。

12.根据权利要求11所述的方法，其中：

所述处理进一步包括MOCVD；和

在所述移除之后实施所述MOCVD。

13.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述处理包括在所述植入之前进行的MOCVD；和

所述植入是利用选自具有离子能量约200keV～750keV的氢或氦的粒子的离子植入。

14.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述层包括：

形成由通道隔开的多个离散像素；和

将所述多个离散像素一起转移到靶基材上。

15.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述层包括：

形成由通道隔开的多个离散像素；和

选择性地将少于全部的所述多个离散像素转移到靶基材上。

16.一种方法，包括：

在供体基材上生长晶体半导体材料，所述材料的穿透位错密度(TDD)随厚度而下降；

将暴露面结合到靶基材上；

释放所述材料以留下结合到具有第二暴露面的基材的厚度；和

处理所述基材以结合到微发光二极管(LED)结构中。