[发明专利]III族氮化物层叠体的制造方法、检查方法、以及III族氮化物层叠体

说明书

III族氮化物层叠体的制造方法具有如下工序：准备III族氮化物层叠体的工序，所述III族氮化物层叠体具有III族氮化物基板和在III族氮化物基板的主面的上方形成的III族氮化物外延层；以及，针对III族氮化物外延层的、III族氮化物基板的主面的法线方向与c轴方向所成的偏离角的大小不同的多个测定位置进行光致发光图谱测定，获取黄色发光强度相对于带边发光强度之比即相对黄色强度，并获取偏离角的大小与相对黄色强度的对应关系的工序。

技术领域

本发明涉及III族氮化物层叠体的制造方法、检查方法、以及III族氮化物层叠体。

背景技术

氮化镓(GaN)等III族氮化物半导体作为光器件、电子器件等半导体装置的材料是有用的。在III族氮化物基板的上方形成有III族氮化物外延生长层(以下简称为外延层)的III族氮化物层叠体与在蓝宝石等异种基板的上方形成有外延层的层叠体相比，具有晶体品质良好的外延层(关于在III族氮化物基板上生长外延层而构成半导体装置，例如参见专利文献1、2)。

在使用了III族氮化物层叠体的半导体装置中，外延层的晶体品质对操作性能影响较大。因此，检查外延层的晶体品质的技术是重要的。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-254970号公报

专利文献2：日本特许第5544723号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的一个目的在于，提供能够用于检查III族氮化物层叠体中的外延层的晶体品质的技术。

用于解决问题的方案

根据本发明的一个方式，提供一种III族氮化物层叠体的制造方法，其具有如下工序：

准备第一III族氮化物层叠体的工序，所述第一III族氮化物层叠体具有第一III族氮化物基板和在前述第一III族氮化物基板的主面的上方形成的第一III族氮化物外延层；以及

针对前述第一III族氮化物外延层的、前述第一III族氮化物基板的主面的法线方向与c轴方向所成的偏离角的大小不同的多个测定位置进行光致发光图谱(Photoluminescence Mapping)测定，获取黄色发光强度相对于带边发光强度之比即相对黄色强度，获取偏离角的大小与相对黄色强度的对应关系的工序。

根据本发明的另一方式，提供一种III族氮化物层叠体，其具有III族氮化物基板和在前述III族氮化物基板的主面的上方形成的III族氮化物外延层，

关于前述III族氮化物外延层中的、光致发光的黄色发光强度相对于带边发光强度之比即相对黄色强度，

前述III族氮化物基板的主面的法线方向与c轴方向所成的偏离角的大小与相对黄色强度的对应关系具有如下的倾向：随着偏离角的大小增加，相对黄色强度减少，并且相对黄色强度减少的程度变小。

发明的效果

偏离角的大小与相对黄色强度的对应关系可以用于检查III族氮化物层叠体中的外延层的晶体品质。

附图说明

图1为示出基于本发明的一个实施方式的检查方法的示意性流程的流程图。

图2的(a)为III族氮化物层叠体的截面示意图，图2的(b)为示出针对III族氮化物层叠体的PL图谱测定的状况的截面示意图。

图3的(a)为示意性示出的PL发光光谱，图3的(b)为示意性示出偏离量与相对黄色强度的对应关系的图表。