[发明专利]TFT基板、具备TFT基板的扫描天线以及TFT基板的制造方法有效
申请号: | 201780081158.8 | 申请日: | 2017-12-18 |
公开(公告)号: | CN110140221B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 美崎克纪 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;G02F1/13;H01Q3/34;H01Q3/44;H01Q13/22 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;张艳凤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | tft 基板 具备 扫描 天线 以及 制造 方法 | ||
1.一种TFT基板,
具有电介质基板和在上述电介质基板上排列的多个天线单位区域,
具备包含上述多个天线单位区域的发送接收区域和位于上述发送接收区域以外的区域的非发送接收区域,
上述多个天线单位区域各自具有TFT和电连接到上述TFT的漏极电极的贴片电极,
上述TFT基板的特征在于,具有:
源极金属层,其支撑于上述电介质基板,包含上述TFT的源极电极、上述漏极电极以及连接到上述源极电极的源极总线;
栅极金属层,其形成在上述源极金属层上,包含上述TFT的栅极电极和连接到上述栅极电极的栅极总线;
栅极绝缘层,其形成在上述源极金属层与上述栅极金属层之间;
层间绝缘层,其形成在上述栅极金属层上;以及
导电层,其形成在上述层间绝缘层上,
上述贴片电极包含于上述栅极金属层。
2.根据权利要求1所述的TFT基板,
上述栅极绝缘层具有到达上述漏极电极或从上述漏极电极延伸设置的漏极延伸设置部的第1开口部,
上述层间绝缘层具有:第2开口部,其在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第1开口部重叠;以及第3开口部,其到达上述贴片电极或从上述贴片电极延伸设置的贴片延伸设置部,
上述导电层包含贴片漏极连接部,
上述贴片漏极连接部在上述第1开口部内与上述漏极电极或上述漏极延伸设置部连接,在上述第3开口部内与上述贴片电极或上述贴片延伸设置部连接。
3.根据权利要求2所述的TFT基板,
上述第1开口部的侧面与上述第2开口部的侧面是对齐的。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的TFT基板,
还具有配置在上述非发送接收区域的源极-栅极连接部,
上述源极-栅极连接部具有:
栅极下部连接配线,其包含于上述源极金属层,与上述源极总线是电分离的;
第4开口部,其形成于上述栅极绝缘层,到达上述栅极下部连接配线;
栅极总线连接部,其包含于上述栅极金属层,连接到上述栅极总线;
第5开口部,其形成于上述层间绝缘层,在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第4开口部重叠;
第6开口部,其形成于上述层间绝缘层,到达上述栅极总线连接部;以及
栅极上部连接部,其包含于上述导电层,在上述第4开口部内与上述栅极下部连接配线连接,在上述第6开口部内与上述栅极总线连接部连接。
5.根据权利要求4所述的TFT基板,
还具有配置在上述非发送接收区域的栅极端子部,
上述栅极端子部具有:
栅极端子用下部连接部,其包含于上述源极金属层,与上述栅极下部连接配线电连接;
第7开口部,其形成于上述栅极绝缘层,到达上述栅极端子用下部连接部;
第8开口部,其形成于上述层间绝缘层,在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第7开口部重叠;以及
栅极端子用上部连接部,其包含于上述导电层,在上述第7开口部内与上述栅极端子用下部连接部连接。
6.根据权利要求1至3中的任意一项所述的TFT基板,
上述导电层包含透明导电层。
7.根据权利要求1至3中的任意一项所述的TFT基板,
上述导电层包含:
第1导电层,其包含透明导电层;以及
第2导电层,其形成在上述第1导电层之下,由从包括Ti层、MoNb层、MoNbNi层、MoW层、W层以及Ta层的组中选择的至少1个层形成。
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