[发明专利]半导体晶片承载器有效
申请号: | 201780081893.9 | 申请日: | 2017-12-18 |
公开(公告)号: | CN110140202B | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 伊曼纽尔·楚阿·阿巴斯;卡尔·安东尼·潘甘·蓬杜约;埃米尔·阿尔卡拉斯·帕尔斯;阿诺德·维拉莫尔·卡斯帝罗;维吉尔·罗德里格兹·桑多瓦尔 | 申请(专利权)人: | 迈可晟太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 晶片 承载 | ||
本说明书描述了半导体晶片承载器、半导体晶片承载器的制造方法以及使用方法。半导体晶片承载器可包括避免双重开槽、防止半导体晶片上出现手套印迹以及为晶片承载器提供额外的安放和储存选项的特征。在一些示例中,半导体晶片承载器包括多个在竖直方向上平行的带有卡槽的左侧杆和多个在竖直方向上平行的带有卡槽的右侧杆。半导体晶片承载器包括一个或多个底杆。左侧杆、右侧杆和一个或多个底杆接合,以限定半导体晶片槽。
技术领域
本说明书中描述的主题主要涉及使用半导体晶片承载器制造太阳能电池和其他半导体结构。
相关专利申请的交叉引用
本专利申请涉及并且要求2016年12月30日提交的美国专利申请序列号15/395,824的优先权,其公开内容全文以引用方式并入本文。
背景技术
光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于将太阳辐射直接转换为电能的装置。一般来讲,使用半导体加工技术在半导体基板的表面附近形成p-n结,从而在半导体晶片或基板上制造太阳能电池。照射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板块体中形成电子和空穴对。所述电子和空穴对迁移至基板中的p掺杂区和n掺杂区,从而在掺杂区之间产生电压差。将掺杂区连接至太阳能电池上的导电区,以将电流从电池引导至外部电路。太阳能电池和其他半导体结构的制造通常需要在一个或多个半导体的各加工阶段将半导体晶片载入晶片承载器。
附图简要说明
图1A-图1C示出了示例性半导体晶片承载器;
图2A-图2H示出了示例性晶片承载器,其具有多个在竖直方向上平行的带有卡槽的侧杆;
图3A-图3E示出了示例性晶片承载器,其具有多个在竖直方向上平行的带有卡槽的侧杆;
图4A-图4E示出了示例性晶片承载器,其具有多个在竖直方向上平行的带有卡槽的侧杆;
图5A-图5B示出了可供操作者或机器人用于提升晶片承载器的搬运器的示例;
图6A-图6C示出了用于连接相互平行的侧杆、底杆和晶片承载器前、后板的示例性保持装置;
图7A-图7E示出了示例性晶片承载器,其具有多个在竖直方向上平行的带有卡槽的侧杆;
图8为用于半导体晶片加工的示例性方法的流程图;以及
图9为用于半导体晶片承载器制造的示例性方法的流程图。
具体实施方式
本说明书描述了半导体晶片承载器、半导体晶片承载器的制造方法以及使用方法。半导体晶片承载器可包括避免双重开槽、防止半导体晶片上出现手套印迹以及为晶片承载器提供额外的安放和储存选项的特征。
在一些示例中,半导体晶片承载器包括在竖直方向上平行的左侧上、下杆,其中左侧上、下杆各包括多个左侧卡槽,并且左侧上杆的左侧卡槽与左侧下杆的左侧卡槽竖直对齐。半导体晶片承载器包括在竖直方向上平行的右侧上、下杆,其中右侧上、下杆各包括多个右侧卡槽,并且右侧上杆的右侧卡槽与右侧下杆的右侧卡槽竖直对齐。半导体晶片承载器包括一个或多个底杆,其中左侧上杆和左侧下杆、右侧上杆和右侧下杆、以及一个或多个底杆接合,使得左侧卡槽与右侧卡槽相对,在左侧卡槽、右侧卡槽和底杆之间限定半导体晶片槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造