[发明专利]高纵横比电镀结构和各向异性电镀工艺在审
申请号: | 201780082271.8 | 申请日: | 2017-11-17 |
公开(公告)号: | CN110140203A | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | D·P·里默;K·C·斯旺森;P·F·拉德维希 | 申请(专利权)人: | 哈钦森技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/70 | 分类号: | H01L21/70;H01L21/283;H01L23/48;H01L27/01 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 舒雄文 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 高纵横比 金属结构 电镀 纵横比 金属基部 基部 电镀工艺 电镀金属 基底 制造 | ||
描述了包括高纵横比电镀结构的装置和形成高纵横比电镀结构的方法。一种制造金属结构的方法,包括:提供具有金属基部的基底,所述金属基部的特征在于高度与宽度纵横比A/B;以及在所述基部上电镀金属冠以形成所述金属结构,所述金属结构的高度与宽度纵横比A/S大于所述基部的纵横比A/B。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年11月17日提交的美国专利申请No.15/817,049的优先权,并且还要求2016年11月18日提交的美国临时专利申请No.62/423,995的权益,于此通过引用并入了每个申请的全部。
技术领域
本发明总体涉及电镀结构和电镀工艺。
背景技术
用于制造诸如铜或铜合金电路结构(诸如引线、迹线和过孔互连)的结构的电镀工艺是通常已知的,并且例如在Castellani等的名称为“fine-Line Circuit Fabricationand Photoresist Application Therefor”的美国专利4,315,985中公开。这些类型的工艺例如与以下专利中公开的盘驱动器头悬架的制造结合使用:Bennin等的名称为“LowResistance Ground Joints for Dual Stage Actuation Disk Drive Suspensions”的美国专利8,885,299;Rice等的名称为“Integrated Lead Suspension with Multiple TraceConfigurations”的美国专利8,169,746;Hentges等的名称为“Multi-Layer Ground PlaneStructures for Integrated Lead Suspensions”的美国专利8,144,430;Hentges等的名称为“Multi-Layer Ground Plane Structures for Integrated Lead Suspensions”的美国专利7,929,252;Swanson等的名称为“Method for Making Noble Metal ConductiveLeads for Suspension Assemblies”的美国专利7,388,733;以及Peltoma等的名称为“Plated Ground Features for Integrated Lead Suspensions”的美国专利7,384,531。这些类型的工艺也与相机镜头悬架的制造结合使用,例如在Miller的名称为“Camera LensSuspension with Polymer Bearings”的美国专利9,366,879中所公开的。
超级填充和超级共形电镀工艺和构成法也是已知的并且公开于,例如,下面的文章中:Vereecken等的“The chemistry of additives in damascene copper plating”,IBM J.of RES.&Dev.,vol.49,no.1,2005年1月;Andricacos等的“Damascene copperelectroplating for chip interconnections”,IBM J.of Res.&Dev.,vol.42,no.5,1998年9月;以及Moffat等的“Curvature enhanced adsorbate coverage mechanism forbottom-up superfilling and bump control in damascene processing”,Electrochimica Acta 53,pp.145-154,2007。通过这些工艺,沟槽内电镀(例如,光刻胶掩模沟槽限定用于待电镀的结构的空间)优先发生在底部。由此可以避免沉积结构中的空隙。通过引用所有上述专利和文章的整体而将它们并入本文并用于所有目的。
仍然存在对增强的电路结构的持续需求。也存在对用于制造电路和其他结构的高效和有效的工艺,包括电镀工艺,的需求。
发明内容
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈钦森技术股份有限公司,未经哈钦森技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780082271.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体晶片承载器
- 下一篇:半导体装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造