[发明专利]用于抛光硅的碳化物的组合物及方法有效

专利信息
申请号: 201780082466.2 申请日: 2017-12-21
公开(公告)号: CN110168034B 公开(公告)日: 2022-01-25
发明(设计)人: R.伊万诺夫;F.亨格洛;柯政远;G.怀特纳 申请(专利权)人: CMC材料股份有限公司
主分类号: C09G1/02 分类号: C09G1/02;C09G1/04;C09K3/14
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邢岳
地址: 美国伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 抛光 碳化物 组合 方法
【权利要求书】:

1.化学机械抛光基板的方法,包括:

(i)提供基板,其中该基板包含位于该基板的表面上的硅碳化物层;

(ii)提供抛光垫;

(iii)提供包含以下的抛光组合物:

(a)氧化硅颗粒,

(b)包含磺酸单体单元的聚合物,其中,该包含磺酸单体单元的聚合物选自聚苯乙烯磺酸、聚(2-丙烯酰氨基-2-甲基-1-丙磺酸)及聚(苯乙烯磺酸-共-顺丁烯二酸),且该包含磺酸单体单元的聚合物具有75,000克/摩尔至200,000克/摩尔的平均分子量,该包含磺酸单体单元的聚合物的量为5-35ppm,及

(c)水,

其中该抛光组合物具有2至5的pH值;

(iv)使该基板与该抛光垫及该抛光组合物接触;及

(v)使该抛光垫及该抛光组合物相对于该基板移动以磨除该基板的表面上的该硅碳化物层的至少一部分,从而抛光该基板。

2.权利要求1的方法,其中,所述氧化硅颗粒包含铝离子,且其中所述铝离子均匀地分布在所述氧化硅颗粒内。

3.权利要求1的方法,其中,所述氧化硅颗粒具有40nm至60nm的平均粒度。

4.权利要求1的方法,其中,该包含磺酸单体单元的聚合物是聚苯乙烯磺酸。

5.权利要求1的方法,其中,该抛光组合物进一步包含氧化剂。

6.权利要求1的方法,其中,该抛光组合物进一步包含缓冲剂。

7.权利要求1的方法,其中,该基板进一步包含位于该基板的表面上的硅氮化物层,且其中,磨除位于该基板的表面上的该硅氮化物层的至少一部分以抛光该基板。

8.权利要求1的方法,其中,该基板进一步包含位于该基板的表面上的硅氧化物层,且其中,磨除位于该基板的表面上的该硅氧化物层的至少一部分以抛光该基板。

9.化学机械抛光组合物,包含:

(a)含有铝离子的氧化硅颗粒,其中所述铝离子均匀地分布在所述氧化硅颗粒内,且其中所述氧化硅颗粒具有40nm至80nm的平均粒度,

(b)包含磺酸单体单元的聚合物,其中,该包含磺酸单体单元的聚合物选自聚苯乙烯磺酸、聚(2-丙烯酰氨基-2-甲基-1-丙磺酸)及聚(苯乙烯磺酸-共-顺丁烯二酸),且该包含磺酸单体单元的聚合物具有75,000克/摩尔至200,000克/摩尔的平均分子量,该包含磺酸单体单元的聚合物的量为5-35ppm,

(c)缓冲剂,及

(d)水,

其中该抛光组合物具有2至5的pH值。

10.权利要求9的抛光组合物,其中,所述氧化硅颗粒具有40nm至60nm的平均粒度。

11.权利要求9的抛光组合物,其中,所述氧化硅颗粒是球形的。

12.权利要求9的抛光组合物,其中,该缓冲剂选自甲酸、丙二酸、乙酸、草酸、柠檬酸及磷酸。

13.权利要求9的抛光组合物,其中,该抛光组合物进一步包含氧化剂。

14.权利要求13的抛光组合物,其中,该氧化剂为过氧化氢。

15.权利要求9的抛光组合物,其中,该抛光组合物不含哌嗪化合物、4-吗啉化合物、氨基磺酸化合物、经取代的胺化合物、叔胺化合物、或双胺化合物、或者它们的盐。

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