[发明专利]减少反射光束的光学功率

说明书

用于极紫外(EUV)光源的系统包括：光生成系统，该光生成系统被配置为将一个或多个光束发射到光束路径上；一个或多个光学放大器，该一个或多个放大器中的每一个包括光束路径上的增益介质，每个增益介质被配置为放大一个或多个光束以产生一个或多个放大光束；以及一个或多个衍射光学元件，该衍射光学元件处于光学路径上，其中，一个或多个衍射光学元件中的每一个具有多个焦距，并且衍射光学元件中的每个焦距与特定偏振状态相关联。

相关申请的交叉引用

本申请与2017年1月9日提交的美国申请号15/402,134有关，该申请以整体内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及减少极紫外光源中的反射光束的光学功率。

背景技术

极紫外(“EUV”)光(例如，具有约为50nm或更小的波长(有时还被称为软x射线)并且包括波长约为13nm的光的电磁辐射)可以在光刻工艺中用来在基板(例如硅晶片)中产生极小特征。

产生EUV光的方法包括，但并不一定限于，将具有元素(例如氙、锂或锡)的材料转换为在等离子体状态下的EUV范围内的发射谱线。在通常被称为激光等离子体(“LPP”)的一种这种方法中，可以通过用放大光束(其可以被称为驱动激光)照射目标材料(例如，以材料的液滴、板、带、流或簇的形式)来产生所需的等离子体。对于该工艺，等离子体通常在密封容器(例如真空室)中产生，并且使用各种类型的量测设备进行监测。

发明内容

在一个一般方面中，用于极紫外(EUV)光源的系统包括：光生成系统，该光生成系统被配置为将一个或多个光束发射到光束路径上；一个或多个光学放大器，一个或多个放大器中的每个放大器包括在光束路径上的增益介质，每个增益介质被配置为放大一个或多个光束以产生一个或多个放大光束；以及一个或多个衍射光学元件，该一个或多个衍射光学元件处于光学路径上，其中一个或多个衍射光学元件中的每个衍射光学元件具有多个焦距，并且衍射光学元件中的每个焦距与特定偏振状态相关联。

实施方式可以包括以下特征中的一个或者多个。衍射光学元件的多个焦距可以至少包括第一焦距和第二焦距，第一焦距可以与第一偏振状态相关联，第二焦距可以与第二偏振状态相关联，并且第二偏振状态可以与第一偏振状态正交，并且一个或多个衍射光学元件中的每个衍射光学元件可以基于第一焦距来对第一偏振状态的光进行聚焦，并且基于第二焦距来对第二偏振状态的光进行聚焦。

多个焦距可以至少包括第一焦距和第二焦距，并且第一焦距可以是正焦距，并且第二焦距可以是负焦距，使得在与一个或多个衍射光学元件中的一个衍射光学元件相互作用之后，偏振状态中的至少一个偏振状态的光会聚，并且偏振状态中的至少一个偏振状态的光发散。

衍射光学元件可以包括基板和结构，该结构包括多个物理特征。结构可以形成于基板中，并且结构的物理特征可以包括形成于基板中的多个凹槽。结构可以形成于基板的表面处，结构的物理特征可以包括形成于基板的表面处的多个凹槽。由光生成系统发射的一个或多个光束中的每个光束可以具有波长，并且物理特征可以彼此间隔开小于一个或多个光束中的至少一个光束的波长的距离。

结构的物理特征可以被布置为准周期性结构，并且在一些实施方式中，准周期性结构的物理特征包括至少一对凹槽，该至少一对凹槽彼此间隔开与另一对凹槽之间的距离不同的距离。基板可以包括由N相级别形成的衍射透镜，N是等于或大于2的整数，结构的物理特征可以包括多个凹槽以形成多组凹槽，其中一组凹槽形成于N相级别中的每个级别处，并且在N相级别中的一个级别处的凹槽可以被定向在与至少形成在N相级别中的另一级别处的凹槽的定向的方向不同的方向上。基板可以包括金刚石、硒化锌(ZnSe)、砷化镓(GaAs)和锗(Ge)中的一个或多个。