[发明专利]用于集合制造多个光电芯片的方法

权利要求书

1.一种用于在晶片级上制造多个光电芯片(P1、P2)的方法，包括以下步骤：

i)提供包括多个基本区域(z1、z2)的接收基底(1)，每个基本区域包含一个光电芯片(P1、P2)，每个基本区域(z1、z2)包括至少一个耦合波导(3₁、3₂)，所述至少一个耦合波导(3₁、3₂)集成在所述接收基底(1)中并且光学耦合到第一光电组件(2₁、2₂)；

ii)将多个衬垫(6)转移到所述多个基本区域(z1、z2)，使得每个衬垫(6)部分地覆盖相应的基本区域(z1、z2)中的至少一个耦合波导(3₁、3₂)；

iii)从每个衬垫(6)制造所述第一光电组件(2₁、2₂)，使得每个第一光电组件(2₁、2₂)面向相应的基本区域(z1、z2)的至少一个耦合波导(3₁、3₂)；

其特征在于，在所述转移步骤之后，每个衬垫(6)在至少两个相邻基本区域(z1、z2)的组(E)上延伸，以便部分地覆盖所述至少两个相邻基本区域(z1、z2)中的每一个的至少一个耦合波导(3₁、3₂)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在制造所述第一光电组件的步骤中，从给定的衬垫(6)制造的每个第一光电组件(2₁、2₂)面向相应的至少两个相邻基本区域(z1、z2)的组(E)的每个基本区域(z1、z2)的至少一个耦合波导(3₁、3₂)。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少两个相邻基本区域(z1、z2)的组(E)包括第一基本区域(z1)和第二基本区域(z2)，第一基本区域(z1)的至少一个第一光电组件(2₁)和第二基本区域(z2)的至少一个第二光电组件(2₂)分别与形成所述第一基本区域和第二基本区域(z1、z2)的公共边界的分隔线(L₁₂)间隔相等的距离，所述第一光电组件和第二光电组件(2₁、2₂)由同一衬垫(6)制造。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述距离小于600μm。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一光电组件(2₁)和所述第二光电组件(2₂)彼此间隔的距离小于1.2μm。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少两个相邻基本区域(z1、z2)的组(E)包括第一基本区域(z1)和第二基本区域(z2)，第一光电组件(2₁)定位为面向相应的至少两个相邻基本区域(z1、z2)的组(E)的第一基本区域(z1)的第一耦合波导(3₁)的耦合部分(3e₁)，并且第二光电组件(2₂)面向第二基本区域(z2)的第二耦合波导(3₂)的耦合部分(3e₂)，该第二基本区域(z2)与第一基本区域(z1)相邻并属于同一组(E)，第一耦合波导和第二耦合波导(3₁、3₂)从它们各自的耦合部分(3e₁、3e₂)平行地延伸。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一耦合波导和第二耦合波导(3₁、3₂)从它们各自的耦合部分(3e₁、3e₂)沿彼此相反的方向延伸。