[发明专利]具有高电子迁移率异质结的电子元件

权利要求书

1.一种具有高电子迁移率异质结的电子元件(1)，包括：

-第一半导体材料层(12)和第二半导体材料层(13)的叠加，以便在第一层半导体材料和第二层半导体材料之间的界面附近形成电子气层(14)；

-传导电极的第一金属接触部和第二金属接触部(21，22)，其相对于所述电子气层垂直地形成在所述第二半导体材料层(13)上；

其特征在于：

-所述第一金属接触部和第二金属接触部中的至少一个具有接触长度L，使得L≤1.5*√(ρc/R2Deg)；

其中，ρc是在425K温度下所述第一金属接触部或所述第二金属接触部与所述电子气层的比电阻，其中，R2Deg是所述电子气层在425K温度下的方块电阻。

2.如权利要求1所述的具有高电子迁移率异质结的电子元件(1)，其中，所述第一金属接触部和第二金属接触部(21，22)中的至少一个具有接触长度L，使得L≤0.9*√(ρc/R2Deg)。

3.如权利要求2所述的具有高电子迁移率异质结的电子元件(1)，其中，所述第一金属接触部和第二金属接触部(21，22)中的至少一个具有接触长度L，使得L≤0.5*√(ρc/R2Deg)。

4.如权利要求2所述的具有高电子迁移率异质结的电子元件(1)，其中，所述第一金属接触部和第二金属接触部(21，22)中的至少一个具有在0.8*√(ρc/R2Deg)和0.9*√(ρc/R2Deg)之间的接触长度。

5.如权利要求1至4中任一项所述的具有高电子迁移率异质结的电子元件(1)，其中，所述第一半导体材料层(12)由GaN形成，并且其中，所述第二半导体材料层(13)由AlGaN形成。

6.如权利要求1至4中任一项所述的具有高电子迁移率异质结的电子元件(1)，其中，所述第一金属接触部和第二金属接触部(21，22)之间的距离最多等于20μm。

7.如权利要求1至4中任一项所述的具有高电子迁移率异质结的电子元件(1)，其中，所述第一金属接触部和第二金属接触部(21，22)由从以下各项中选择的金属形成：Al/Ti合金、Al/Ta合金、Al/V合金或Ti/N合金。

8.如权利要求1至4中任一项所述的具有高电子迁移率异质结的电子元件(1)，其中，所述第二半导体材料层(13)设有凹槽，所述第一金属接触部和第二金属接触部(21，22)设置在所述凹槽中。

9.如权利要求1至4中任一项所述的具有高电子迁移率异质结的电子元件(1)，该电子元件是异质结场效应晶体管。

10.如权利要求1至4中任一项所述的具有高电子迁移率异质结的电子元件(1)，该电子元件是异质结二极管。

11.一种系统包括：-如前述权利要求中任一项所述的具有高电子迁移率异质结的电子元件(1)；-电源(3)，其配置为在所述电子元件的第一和第二金属接触部(21，22)之间施加最大幅度在100和1200伏之间的电位差。