[发明专利]半导体激光元件、半导体激光元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光元件，其特征在于，具备：

半导体基板；

谐振器部，其形成于半导体基板之上，具有有源层、衍射光栅、后端面、和呈倒台面斜面的前端面，该衍射光栅形成于所述有源层之上或之下；

防反射涂膜，其形成于所述前端面；

反射膜，其形成于所述后端面；

上部电极，其形成于所述谐振器部之上；以及

下部电极，其形成于所述半导体基板之下，

所述谐振器部的谐振器方向的长度比所述半导体基板的所述谐振器方向的长度短，

从所述前端面射出激光，

该半导体激光元件具备电介质，该电介质在所述前端面的与所述谐振器部相反侧，沿所述谐振器方向形成于所述半导体基板的上表面中的没有形成所述谐振器部的部分。

2.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述半导体基板的主面是(100)面，

所述谐振器部形成于所述主面，

所述谐振器方向是[011]方向，

所述前端面是(111)面，

所述后端面是与(011)面平行的解理面。

3.一种半导体激光元件，其特征在于，具备：

半导体基板；

谐振器部，其形成于半导体基板之上，具有有源层、衍射光栅、后端面、和呈正台面斜面的前端面，该衍射光栅形成于所述有源层之上或之下，并且该谐振器部的谐振器方向的长度比所述半导体基板的所述谐振器方向的长度短；

防反射涂膜，其形成于所述前端面；

反射膜，其形成于所述后端面；

金属反射镜，其设置于所述半导体基板之上；

上部电极，其形成于所述谐振器部之上；以及

下部电极，其形成于所述半导体基板之下，

从所述前端面射出的激光由所述金属反射镜反射，

该半导体激光元件具备电介质，该电介质在所述前端面的与所述谐振器部相反侧，沿所述谐振器方向形成于所述半导体基板的上表面中的没有形成所述谐振器部的部分。

4.根据权利要求3所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述半导体基板的主面是(100)面，

所述谐振器部形成于所述主面，

所述谐振器方向是方向，

所述前端面是(111)面，

所述后端面是与面平行的解理面。

5.根据权利要求1或3所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述电介质的上表面的高度与所述谐振器部的上表面相同。

6.一种半导体激光元件的制造方法，其特征在于，具备以下工序：

在半导体基板之上形成掩模；

在所述半导体基板中的没有被所述掩模覆盖的部分使半导体层选择生长，形成具有衍射光栅以及成为斜面的前端面的谐振器部；

在所述谐振器部的上表面形成上部电极，在所述半导体基板的下表面形成下部电极；

在所述前端面形成防反射涂膜，在所述谐振器部的后端面形成反射膜；以及

形成电介质，该电介质在所述前端面的与所述谐振器部相反侧，沿所述谐振器方向形成于所述半导体基板的上表面中的没有形成所述谐振器部的部分，

所述谐振器部的谐振器方向的长度比所述半导体基板的所述谐振器方向的长度短。

7.根据权利要求6所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于，

所述半导体基板的主面是(100)面，

所述掩模以边缘与方向平行的方式形成于所述主面，

所述前端面是倒台面斜面。

8.根据权利要求6所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于，

所述半导体基板的主面是(100)面，

所述掩模以边缘与[011]方向平行的方式形成于所述主面，

所述前端面是正台面斜面。