[发明专利]可被氢化硅烷化的受抑制的不含贵金属的混合物

说明书

本发明提供混合物M，其含有：含有至少一个直接结合至Si的氢原子的化合物A，含有至少一个碳‑碳多重键的化合物B，含有至少一个阳离子Si(II)基团的化合物C和含有至少一个直接结合至硅的烷氧基的化合物D，以及用于氢化硅烷化所述混合物M的方法，其中加热所述混合物M。

本发明涉及含有作为催化剂的具有阳离子Si(II)基团的化合物的可氢化硅烷化混合物，并涉及通过加热氢化硅烷化所述混合物的方法。

将硅氢化合物添加至烯烃和炔烃上在工业中起着重要作用。该反应，被称为氢化硅烷化，非常频繁地用于交联硅氧烷(弹性体交联)或用于将官能团引入硅烷或硅氧烷中。氢化硅烷化通常在工业上使用与抑制剂组合的贵金属络合物进行，所述抑制剂通常基于炔烃，其在环境温度下阻断氢化硅烷化。这使得在不开始氢化硅烷化的情况下均匀混合包括催化剂在内的组分成为可能。氢化硅烷化过程然后可通过增加温度来处理。又一优点是混合发生在与氢化硅烷化过程不同的时间，并且可以目标方式控制；单组分体系只能通过增加温度来反应。

贵金属催化的氢化硅烷化的缺点是贵金属的高价格，其在全世界仅具有有限的可用性并且受到不可预见且不可影响的价格波动的影响。另外，回收贵金属通常是不可能或不经济的。因此，不含贵金属的氢化硅烷化催化剂具有很大的工业价值。

最近，例如Chirik等在Science 2012,335,567、ACS Catalysis 2016,6,2632和ACS Catalysis 2016,6,4105中提出了将过渡金属络合物，尤其是铁、钴和镍的络合物作为替代物，但这些络合物展示出不令人满意的稳定性，使得需要使用相对大的量，这常常导致变色。然而，这些系统的甚至更严重的缺点是，到目前为止，还没有抑制系统能够在混合操作期间抑制氢化硅烷化，并通过增加温度以目标方式启动氢化硅烷化。

因此，本发明的目的是提供不含贵金属的可氢化硅烷化的混合物，该混合物在环境温度下长时期稳定，并且其反应可通过增加温度来触发。

本发明提供混合物M，其含有：

含有至少一个直接结合至Si的氢原子的化合物A，

含有至少一个碳-碳多重键的化合物B，

含有至少一个阳离子Si(II)基团的化合物C，和

含有至少一个直接结合至硅的烷氧基的化合物D。

令人惊讶的是，已能够表明，由作为非金属氢化硅烷化催化剂的化合物C催化的氢化硅烷化反应可通过添加烷氧基硅化合物D被完全抑制，尤其是在环境温度下，并且可通过增加温度来触发。

因此，烷氧基硅化合物D可用作与非金属氢化硅烷化催化剂C的氢化硅烷化反应的抑制剂。

具有至少一个直接结合至Si的氢原子的化合物A优选具有通式I

R¹R²R³Si-H (I)，

其中所述基团R¹、R²和R³各自彼此独立地为氢、卤素、甲硅氧基或烃基，其中单个碳原子在每种情况下可被氧原子、硅原子、氮原子、卤素、硫或磷原子替代。

基团R¹、R²和R³各自彼此独立地特别优选氢，卤素，无支链、支链、直链、无环或环状、饱和或单不饱和或多不饱和的C1-C20-烃基(其中单个碳原子可被氧、卤素、氮或硫替代)或通式II的甲硅氧基

(SiO_4/2)_a(R^xSiO_3/2)_b(R^x₂SiO_2/2)_c(R^x₃SiO_1/2)_d- (II)