[发明专利]来自半导体工艺流出物的一氧化二氮的等离子体减量

权利要求书

1.一种用于使含有一氧化二氮气体的流出物减量的方法，包含：

使含有一氧化二氮气体的所述流出物流入等离子体源中；

将氢气注入所述等离子体源中；以及

激发所述流出物与所述氢气并且使所述流出物与所述氢气反应以形成减量材料，其中所述一氧化二氮气体的破坏去除率是至少百分之五十，且所述减量材料中的一氧化氮或二氧化氮的浓度是以体积计最多百万分之五千。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述流出物从处理腔室流入所述等离子体源中。

3.如权利要求2所述的方法，进一步包含执行于所述处理腔室中的沉积工艺，其中所述沉积工艺包含使含硅气体与一氧化二氮气体反应以形成氧化硅层或氮氧化硅层。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述含硅气体是硅烷。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述一氧化二氮气体以第一流量流入所述等离子体源中，且所述氢气以第二流量注入所述等离子体源中，其中所述第二流量高于所述第一流量。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述第二流量是所述第一流量的约2倍。

7.一种用于使含有一氧化二氮气体的流出物减量的方法，包含：

使含有一氧化二氮气体的所述流出物流入等离子体源中；

将氨气注入所述等离子体源中；以及

激发所述流出物与所述氨气并且使所述流出物与所述氨气反应以形成减量材料，其中所述一氧化二氮气体的破坏去除率是至少百分之五十，且所述减量材料中的一氧化氮或二氧化氮的浓度是最多百万分之五千。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述流出物从处理腔室流入所述等离子体源中。

9.如权利要求8所述的方法，进一步包含执行于所述处理腔室中的沉积工艺，其中所述沉积工艺包含使含硅气体与一氧化二氮气体反应以形成氧化硅层或氮氧化硅层。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述含硅气体是硅烷。

11.如权利要求7所述的方法，其中所述一氧化二氮气体以第一流量流入所述等离子体源中，且所述氨气以第二流量注入所述等离子体源中，其中所述第二流量高于所述第一流量。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述第二流量是所述第一流量的约2倍。

13.一种用于使含有一氧化二氮气体的流出物减量的方法，包含：

使含有一氧化二氮气体的所述流出物流入等离子体源中，其中所述一氧化二氮气体以第一流量流动；

将气体混合物注入所述等离子体源中，其中所述气体混合物以第二流量注入，其中所述第二流量大于所述第一流量；以及

激发所述流出物与所述气体混合物并且使所述流出物与所述气体混合物反应以形成减量材料，其中所述减量材料中的一氧化氮或二氧化氮的浓度是最多百万分之五千。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述流出物从处理腔室流入所述等离子体源中。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述气体混合物包含氢气及氨气。