[发明专利]氮化镓晶体管

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体基异质结功率器件，包括：

衬底；

III族氮化物半导体区域，形成在所述衬底上方；

源极，操作性连接到所述III族氮化物半导体区域；

漏极，与所述源极横向间隔开，并操作性连接到所述III族氮化物半导体区域；

形成在所述III族氮化物半导体区域上方的栅极，所述栅极形成在所述源极与所述漏极之间；

其中，所述III族氮化物半导体区域包括：

形成在所述源极与所述栅极之间的第一部分，其中，所述源极与所述第一部分接触，其中，所述第一部分包括具有二维载气的异质结；

形成在所述栅极与所述漏极之间的第二部分，其中，所述漏极与所述第二部分接触，其中，所述第二部分包括具有所述二维载气的所述异质结；

其中，所述III族氮化物半导体区域的第一部分和第二部分中的至少一个包括：

至少一个沟槽，具有侧壁，并且只形成在所述III族氮化物半导体区域内；

平台区域，各自从所述至少一个沟槽的每个侧壁延伸离开，

其中，所述二维载气沿着所述平台区域以及沿着所述至少一个

沟槽定位，并且

其中，分别与所述第一部分和所述第二部分中的至少一个接触的所述源极和所述漏极中的至少一个与以下二维载气接触，该二维载气位于沿着所述III族氮化物半导体区域的第一部分和第二部分中的所述至少一个的所述至少一个沟槽以及沿着所述平台区域。

2.根据权利要求1所述的异质结功率器件，其中，沿着所述至少一个沟槽和所述平台区域的所述二维载气在所述器件的折叠三维区中延伸。

3.根据权利要求1所述的异质结功率器件，其中，所述III族氮化物半导体区域的第一部分和第二部分的异质结包括：

具有第一带隙的第一III族氮化物半导体层，形成在所述衬底上方；

具有与所述第一带隙不同的第二带隙的第二III族氮化物半导体层，布置在所述第一III族氮化物半导体层上；以及

形成在所述第一III族氮化物半导体层与所述第二III族氮化物半导体层之间以提供沟道的二维载气。

4.根据权利要求3所述的异质结功率器件，其中，所述第一III族氮化物半导体层包括所述至少一个沟槽和所述平台区域，并且其中，所述第二III族氮化物半导体层沿着所述至少一个沟槽的竖直侧壁和所述平台区域布置。

5.根据权利要求3所述的异质结功率器件，其中，所述第一III族氮化物半导体层包括所述至少一个沟槽和所述平台区域，并且其中，所述第二III族氮化物半导体层通过沿着所述平台区域填充所述至少一个沟槽而布置。

6.根据权利要求4或5所述的异质结功率器件，其中，所述第一部分的第一III族氮化物半导体层包括所述至少一个沟槽和所述平台区域，并且其中，所述第二部分的第一III族氮化物半导体层不包括所述至少一个沟槽和所述平台区域。

7.根据权利要求4或5所述的异质结功率器件，其中，所述第二部分的第一III族氮化物半导体层包括所述至少一个沟槽和所述平台区域，并且其中，所述第一部分的第一III族氮化物半导体层不包括所述至少一个沟槽和所述平台区域。

8.根据权利要求4所述的异质结功率器件，其中，所述至少一个沟槽包括所述竖直侧壁之间的底表面，并且所述第二III族氮化物半导体层布置在所述至少一个沟槽的底表面上。

9.根据权利要求8所述的异质结功率器件，其中，所述沟道形成为沿着所述至少一个沟槽的竖直侧壁和底表面并沿着所述平台区域。

10.根据权利要求9所述的异质结功率器件，其中，所述沟道包括沿着所述竖直侧壁的竖直部分、以及沿着所述底表面及沿着所述异质结内的平台区域的横向部分。