[发明专利]背面照明的全局快门成像阵列有效
申请号: | 201780084510.3 | 申请日: | 2017-01-25 |
公开(公告)号: | CN110214444B | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | H·T·杜;C·宫;A·M·麦格纳尼 | 申请(专利权)人: | BAE系统成像解决方案有限公司 |
主分类号: | H04N5/3745 | 分类号: | H04N5/3745;H04N5/361 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人: | 刘卓然 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背面 照明 全局 快门 成像 阵列 | ||
1.一种装置,包括多个像素传感器,所述像素传感器包括像素传感器有序阵列,每个像素传感器的特征在于其在所述像素传感器有序阵列中的位置,并且包括:
主光电二极管;和
校正光电二极管;
所述装置还包括控制器,所述控制器
在第一时刻复位所有所述主光电二极管,所述第一时刻对于所有所述多个像素传感器是相同的;
在所述第一时刻之后的第二时刻复位所有所述校正光电二极管,所述第二时刻对于所有所述多个像素传感器是相同的;和
顺序地读出所述像素传感器,在第三时刻读出所述多个像素传感器中的每一个,所述第三时刻对于所述像素传感器中的不同像素传感器是不同的,并且取决于所述像素传感器有序阵列中的所述像素传感器的所述位置,对所述多个像素传感器中的每一个的所述读出包括:
测量在所述第三时刻与所述第二时刻之间在所述像素传感器中的所述校正光电二极管上累积的校正电荷;
测量直到所述第三时刻在所述像素传感器中的所述主光电二极管上累积的总电荷;以及
其特征在于,
通过从所述总电荷中减去所述校正电荷,从而根据所述总电荷和所述校正电荷来计算表示在所述第二时刻在所述主光电二极管上累积的电荷的像素传感器曝光值。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述校正光电二极管的特征在于具有第一光转换效率,所述主光电二极管的特征在于具有第二光转换效率,所述第一光转换效率小于所述第二光转换效率。
3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述主光电二极管的特征在于具有将光转换为光电子的第一硅面积,所述校正光电二极管的特征在于具有将光转换为光电子的第二硅面积,所述第一硅面积大于所述第二硅面积。
4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,每个像素传感器包括:
浮动扩散节点;
第一传输栅极,其响应于第一传输信号而将所述主光电二极管连接到所述浮动扩散节点;和
第二传输栅极,其将所述校正光电二极管连接到所述浮动扩散节点。
5.如权利要求4所述的装置,还包括位线,每个所述像素传感器包括:
放大器,其放大所述浮动扩散节点上的电压从而在放大器输出上产生信号;
位线栅极,其响应于行选择信号而将所述放大器输出连接到所述位线;和
复位栅极,其响应于复位信号而将所述浮动扩散节点连接到第一复位电压源。
6.如权利要求4所述的装置,其特征在于,所述主光电二极管和所述校正光电二极管分别通过所述第一传输栅极和所述第二传输栅极相对于所述浮动扩散节点并联连接到一起。
7.如权利要求4所述的装置,其特征在于,所述主光电二极管与所述校正光电二极管相对于所述浮动扩散节点串联连接到一起,所述主光电二极管通过所述第一传输栅极而连接到所述校正光电二极管,并且所述校正光电二极管通过所述第二传输栅极而连接到浮动扩散节点。
8.如权利要求4所述的装置,其特征在于,所述控制器通过下述方法来测量所述总电荷:复位所述浮动扩散节点并在复位所述浮动扩散节点之后测量所述浮动扩散节点上的第一电压;在所述第三时刻将所述校正光电二极管连接到所述浮动扩散节点之后,测量所述浮动扩散节点上的第二电压,并且在所述主光电二极管连接到所述浮动扩散节点之后测量所述浮动扩散节点上的第三电压。
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