[发明专利]透明氟基薄膜的形成方法及通过该方法形成的透明氟基薄膜在审
| 申请号： | 201780084562.0 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN110226213A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 朴载赫;金大根;李明鲁;金秉基;石惠媛 | 申请（专利权）人： | IONES株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 魏彦;金相允 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氟基 薄膜 透明 输送气体 气溶胶 基材 粉末供应部 高透光率 纳米结构 显示装置 高硬度 工艺腔 供应部 透明窗 接合 室内 | ||
1.一种透明氟基薄膜的形成方法，其特征在于，包括：
从输送气体供应部接收输送气体，并从粉末供应部接收YF3粉末，从而将所述YF3粉末以气溶胶状态输送的步骤；以及
将以所述气溶胶状态输送的所述YF3粉末撞碎在工艺腔室内的基材上，从而在所述基材上形成YF3透明氟基薄膜的步骤。
2.根据权利要求1所述的透明氟基薄膜的形成方法，其特征在于，
以1000℃以下的温度对从所述粉末供应部供应的YF3粉末进行预处理。
3.根据权利要求1所述的透明氟基薄膜的形成方法，其特征在于，
当所述YF3透明氟基薄膜的厚度为0.5μm～15μm时，对于可见光的所述YF3透明氟基薄膜的透光率在75％以上。
4.根据权利要求1所述的透明氟基薄膜的形成方法，其特征在于，
所述YF3透明氟基薄膜中不含氧。
5.根据权利要求1所述的透明氟基薄膜的形成方法，其特征在于，
所述YF3透明氟基薄膜的孔隙率为0.01％～0.1％、硬度在8GPa以下且耐电压特性在50V/μm以上。
6.根据权利要求1所述的透明氟基薄膜的形成方法，其特征在于，
所述基材是显示装置的透明窗或暴露在等离子环境下的部件。
7.根据权利要求6所述的透明氟基薄膜的形成方法，其特征在于，
所述透明窗是玻璃基板、塑料基板、蓝宝石基板或石英基板，
所述部件是半导体或显示装置制造用工艺腔室的内部部件。
8.根据权利要求7所述的透明氟基薄膜的形成方法，其特征在于，
所述部件是静电吸盘、加热器、室内衬、淋浴喷头、化学气相沉积用晶舟、聚焦环、墙体衬材、防护罩、冷垫、离子源头部、外衬、沉积物防护罩、上衬、排气板、边缘环及掩模框架中的一种。
9.一种透明氟基薄膜，通过权利要求1所述的方法来形成，其特征在于，
当所述YF3透明氟基薄膜的厚度为0.5μm～15μm时，对于可见光的所述YF3透明氟基薄膜的透光率在75％以上。
10.根据权利要求9所述的透明氟基薄膜，其特征在于，
所述YF3透明氟基薄膜中不含氧。
11.根据权利要求9所述的透明氟基薄膜，其特征在于，
所述YF3透明氟基薄膜的孔隙率为0.01％～0.1％、硬度在8GPa以下且耐电压特性在50V/μm以上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
