[发明专利]能够控制pH以及氧化还原电位的稀释药液的制造装置

说明书

稀释药液的制造装置具有以下构成：在超纯水(W)的供给线(1)上依次具备铂族金属负载树脂柱(2)、膜式脱气装置(3)、和气体溶解膜装置(4)，在铂族金属负载树脂柱(2)与膜式脱气装置(3)之间设有pH调节剂注入装置(5A)和氧化还原电位调节剂注入装置(5B)。膜式脱气装置(3)的气相侧与非活性气体源(6)连接，并且气体溶解膜装置4的气相侧也与非活性气体源(7)连接，气体溶解膜装置(4)与排出线(8)连通。在该排出线(8)上设有pH计(10A)和ORP计(10B)。根据该稀释药液的制造装置，能够控制pH以及氧化还原电位。

技术领域

本发明涉及一种在电子产业领域等中使用的稀释药液的制造装置，特别 涉及一种能够控制pH以及氧化还原电位的高纯度的稀释药液的制造装置。

背景技术

在LSI等的电子部件的制造工序中，会反复进行对具有微细构造的被处 理体的处理工序。并且，进行以除去晶片或基板等的处理体表面上附着的微 粒、有机物、金属、自然氧化皮膜等为目的的清洗，获得并保持高度的清洁 度，这对保持制品的品质或提高成品率而言很重要。该清洗是例如使用硫酸 /过氧化氢水混合液、氢氟酸溶液等的清洗液来进行，在该清洗后进行使用超 纯水的冲洗。在该冲洗等的清洗中所供给的超纯水或药液需要高纯度。此外， 近年来，由于半导体器件的微细化、材料的多样化、过程的复杂化，清洗次 数变多。

一般而言，超纯水的制造使用由前处理系统、一次纯水系统、二次纯水 系统(子系统)构成的超纯水制造装置。在使用由这样的超纯水制造装置制 造的超纯水的清洗中，存在超纯水中的溶解氧导致晶片表面上形成薄的氧化 皮膜这样的问题点。为了解决该问题点，在专利文献1、2中提出了使用在进 行脱气而除去溶解氧的超纯水中溶解了氢气的氢溶解水，使用减少了过氧化 氢的水来进行冲洗等清洗的方法。此外，在专利文献3中则提出了一种使导 电性物质溶解在原料超纯水中，然后使其通过填充有有机多孔质离子交换体 的离子交换塔，提供浓度稳定的导电性水溶液的装置。

另外，在半导体或液晶的制造过程中，使用杂质被高度地除去的超纯水 来进行半导体晶片或玻璃基板的清洗。对于使用这样的超纯水的半导体晶片 的清洗，已经知道存在，随着近年来半导体器件的微细化，超纯水中含有的 极微量的过氧化氢等导致的配线金属的腐蚀，以及由于使用电阻率值高的超 纯水，所以清洗时容易产生静电从而致使绝缘膜的静电击穿或微粒的再附着 一类的问题。因此，近年来，通过向超纯水中添加二氧化碳或氨等药液来进 行pH调节从而攻克上述问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-136077号公报。

专利文献2：日本特开2010-17633号公报。

专利文献3：日本特开2016-76590号公报。

发明内容

发明所要解决的课题

但是，对于专利文献1-3中所述的技术，因为不能够除去添加药液中含有 的溶解气体种，因此，难以应对在超微细加工的半导体器件的清洗时所产生 的各种问题。

鉴于此，本发明人针对在超微细加工的半导体器件的清洗时所产生的各 种问题的解决进行了研究，结果知道了微量的过氧化氢存在能够被有效地利 用在氧化还原电位的调节方面的可能性。于是，由此期望能够控制pH和氧化 还原电位，但是一直以来却没有能够进行这样的控制的稀释药液的制造装 置。

本发明是鉴于上述课题而提出，其目的在于，提供一种能够控制pH以及 氧化还原电位的高纯度的稀释药液的制造装置。

用于解决课题的手段