[发明专利]用于沉积、注入和处理的具有多种反应气体、高偏置功率和高功率脉冲源的PVD腔室的增设部分

权利要求书

1.一种处理腔室，用于处理基板，所述处理腔室包含：

靶材，具有第一表面和第二表面，所述第一表面设置于所述处理腔室的处理区域中，所述第二表面与所述第一表面相对；

RF电源，耦接至所述靶材；

DC电源，耦接至所述靶材；

基板支撑件，包含支撑件主体，所述支撑件主体跨所述基板支撑件的整个直径具有平坦的基板接收表面；

偏置功率源，耦接至所述基板支撑件；

脉冲控制器，耦接至所述偏置功率源，所述脉冲控制器经配置以施加脉冲控制信号至所述偏置功率源，使得偏置功率在常规脉冲模式或高频率脉冲模式中输送，所述常规脉冲模式具有约100微秒至约200微秒的脉冲持续时间(pulse duration)和约1Hz至约200Hz的脉冲重复频率(pulse repetition frequency)，而所述高频率脉冲模式具有约100微秒至约300微秒的脉冲持续时间和约200Hz至约20KHz的脉冲重复频率；和

排放组件，具有同心泵送口，所述同心泵送口穿过所述处理腔室的底部而形成。

2.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包含：

可旋转磁控管，邻近所述靶材的所述第二表面设置。

3.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述RF电源和所述DC电源经配置以在约300微秒至约800微秒的脉冲持续时间和约1Hz至约200Hz的脉冲重复频率下运行。

4.如权利要求3所述的处理腔室，其中所述RF电源和所述DC电源经配置以在50％至90％的工作周期下运行。

5.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述RF电源和所述DC电源经配置以在约100微秒至约300微秒的脉冲持续时间和约200Hz至约20KHz的脉冲重复频率下运行。

6.如权利要求5所述的处理腔室，其中所述RF电源和所述DC电源经配置以在1％至10％的工作周期下运行。

7.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述偏置功率源经配置以提供约1kW至约25kW的负偏置电压。

8.如权利要求7所述的处理腔室，其中所述偏置功率源经配置以在常规脉冲模式中运行，所述常规脉冲模式在1％至10％的工作周期下运行。

9.如权利要求7所述的处理腔室，其中所述偏置功率经配置以在高频率脉冲模式中运行，所述高频率脉冲模式在1％至20％的工作周期下运行。

10.一种等离子体处理腔室，包含：

溅射靶材；

旋转磁控管，邻近所述溅射靶材的表面设置；

RF电源，耦接至所述溅射靶材；

DC电源，耦接至所述溅射靶材；

支撑件主体，包含基板接收表面，所述基板主体从所述处理腔室的侧壁由悬臂支撑而安装，其中贴近所述基板接收表面下方的至少一部分跨所述基板接收表面的直径具有均匀厚度；

偏置功率源，耦接至所述支撑件主体；

脉冲控制器，耦接至所述偏置功率源，所述脉冲控制器施加脉冲控制信号至所述偏置功率源，使得偏置功率在常规脉冲模式或高频率脉冲模式中输送，所述常规脉冲模式具有约100微秒至约200微秒的脉冲持续时间和约1Hz至约200Hz的脉冲重复频率，而所述高频率脉冲模式具有约100微秒至约300微秒的脉冲持续时间和约200Hz至约20KHz的脉冲重复频率；

气体导管，通过所述处理腔室的侧壁设置；

屏蔽件，耦接至所述处理腔室的所述侧壁，其中所述屏蔽件向下延伸，以至少部分地限制处理区域的一部分；和

排放组件，具有泵送口，所述泵送口穿过所述处理腔室的底部而形成，其中所述泵送口绕着中心轴对称地设置，所述中心轴通过所述处理腔室的中心。

11.如权利要求10所述的等离子体处理腔室，其中所述RF电源和所述DC电源经配置以与所述偏置功率源同步地运行。