[发明专利]计算存储单元以及将该存储单元用于异或和异或非计算的处理阵列器件在审

专利信息
申请号: 201780085741.6 申请日: 2017-11-06
公开(公告)号: CN110301010A 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: 李-里恩·蜀;艾利·埃尔曼 申请(专利权)人: GSI技术有限公司
主分类号: G11C11/419 分类号: G11C11/419;G11C8/08;G11C8/16;G11C8/18;G11C11/404
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 许伟群;周晓雨
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 存储单元 异或 读取端口 逻辑功能 计算存储单元 储存单元 读取位线 阵列器件 储存 隔离
【说明书】:

存储单元以及具有多个存储单元的处理阵列能够执行逻辑功能,包括异或(XOR)或者异或非(XNOR)逻辑功能。所述存储单元可以具有读取端口,在所述读取端口中将储存在所述存储单元的储存单元中的数字数据与读取位线隔离。

要求优先权/相关申请

本申请在35USC§§119、364及365条款下要求对于如下申请的优先权:2017年9月19日提交且发明名称为“Computational Memory Cell and Processing Array DeviceUsing the Memory Cells for XOR and XNOR Computations(计算存储单元以及将该存储单元用于异或和异或非计算的处理阵列器件)”的美国非临时专利申请序列号15/709,399以及2017年9月19日提交且发明名称为“Computational Memory Cell and ProcessingArray Device Using the Memory Cells for XOR and XNOR Computations(计算存储单元以及将该存储单元用于异或和异或非计算的处理阵列器件)”的美国非临时专利申请序列号15/709,401,上述申请在35USC 119(e)及120条款下转而要求对于2016年12月6日提交且发明名称为“Computational Dual Port SRAM Cell And Processing Array DeviceUsing The Dual Port SRAM Cells For Xor And Xnor Computations(计算双端口SRAM单元以及将该双端口SRAM单元用于异或和异或非计算的处理阵列器件)”的美国临时专利申请序列号62/430,767的权益和优先权,这些申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本公开总体上涉及可以被用于计算的静态随机存取存储单元。

背景技术

诸如动态随机存取存储器(DRAM)单元、静态随机存取存储器(SRAM)单元、内容可寻址存储器(CAM)单元、或者非易失性存储单元这样的存储单元的阵列是被用在各种基于计算机或处理器的设备中以储存数据的数字位的公知装置。各种基于计算机和处理器的设备可以包括计算机系统、智能电话设备、消费类电子产品、电视机、网络交换机和路由器等。存储单元的阵列通常被封装在集成电路中,或者可以被封装在还具有处理设备的集成电路之内,所述处理设备在该集成电路之内。不同类型的典型存储单元具有区分出每种类型的存储单元的不同性能和特性。例如,DRAM单元要花费更长时间进行存取;会丢失其数据内容,除非被周期性地刷新;但是,由于每个DRAM单元的结构简单,所以对于制造而言相对廉价。另一方面,SRAM单元具有更快的存取时间;不会丢失其数据内容,除非将电力从SRAM单元移除;并且由于每个SRAM单元相比于DRAM单元更复杂,故相对更昂贵。CAM单元具有能够在单元之内容易地对内容进行寻址的独特功能,而由于每个CAM单元需要更多的电路来实现内容寻址功能,故对于制造而言更加昂贵。

可用来对数字二进制数据执行计算的各种计算设备也是公知的。计算设备可以包括微处理器、CPU、微控制器等。这些计算设备通常被制造在集成电路上,但是也可以被制造在还具有若干数量的存储器的集成电路上,所述若干数量的存储器被集成在集成电路上。在具有计算设备和存储器的这些已知集成电路中,计算设备执行数字二进制数据位的计算,而存储器被用于储存各种数字二进制数据,包括例如由计算设备执行的指令以及由计算设备进行操作所针对的数据。

近来,已经引入了这样的设备,其使用存储器阵列或储存单元来执行计算操作。在这些设备的一些之中,可以从存储单元形成用以执行计算的处理器阵列。这些设备可以被称为存储器内计算设备。

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