[发明专利]弹性波装置、高频前端电路以及通信装置

权利要求书

1.一种弹性波装置，具备：

高声速构件；

压电薄膜，直接或间接地层叠在所述高声速构件上；

氧化硅膜，层叠在所述压电薄膜上；和

多个IDT电极，层叠在所述氧化硅膜上，

在所述高声速构件传播的体波的声速比在所述压电薄膜传播的弹性波的声速高，

所述多个IDT电极具有由电极指间距决定的波长不同的多个IDT电极，

在将所述多个IDT电极之中所述波长最短的IDT电极的波长设为λ，将所述压电薄膜的相对于所述波长λ的比例即波长标准化膜厚(％)设为y，将所述氧化硅膜的相对于所述波长λ的比例即波长标准化膜厚(％)设为x的情况下，y为350％以下，并且y＜1.6x^(-0.01)+0.05x^(-0.6)-1。

2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，

所述氧化硅膜的波长标准化膜厚x(％)为0＜x＜8％。

3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，

所述压电薄膜的波长标准化膜厚y(％)为80％以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性波装置，其中，

还具备：低声速膜，层叠在所述高声速构件与所述压电薄膜之间，所传播的体波的声速比在所述压电薄膜传播的弹性波的声速低。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的弹性波装置，其中，

还具备支承基板，在所述支承基板上层叠有所述高声速构件。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的弹性波装置，其中，

所述高声速构件兼作所述支承基板。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的弹性波装置，其中，

所述高声速构件由从氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁、氮氧化硅、DLC以及金刚石所构成的组中选择的至少一种材料、或以该一种材料为主要成分的材质构成。

8.根据权利要求4所述的弹性波装置，其中，

所述低声速膜由从氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽以及在氧化硅中添加氟、碳或硼而成的化合物所构成的组中选择的至少一种材料构成。

9.根据权利要求5所述的弹性波装置，其中，

所述支承基板由从硅、氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英等压电体、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石、金刚石、氧化镁所构成的组中选择的至少一种材料构成。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的弹性波装置，其中，

由所述多个IDT电极分别构成了多个弹性波元件。

11.根据权利要求10所述的弹性波装置，其中，

所述弹性波元件是弹性波谐振器以及弹性波滤波器中的一方。

12.根据权利要求1～9中任一项所述的弹性波装置，其中，

所述弹性波装置构成了具有所述多个IDT电极的纵耦合谐振器型弹性波滤波器。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的弹性波装置，其中，

所述压电薄膜由LiTaO₃压电单晶构成。

14.一种高频前端电路，具备：

权利要求1～13中任一项所述的弹性波装置；和

功率放大器。

15.一种通信装置，具备：

权利要求14所述的高频前端电路；和

RF信号处理电路。