[发明专利]稳定的高掺杂碳化硅

权利要求书

1.制造碳化硅的方法，包括：

将籽晶放置在生长区中；

将源材料定位在生长区中,该源材料包括氮掺杂剂和应变补偿组分,该应变补偿组分的浓度是氮掺杂剂浓度的1％至180％；并

通过加热生长区使该源材料升华并在籽晶上形成SiC，使得碳化硅晶体以碳化硅晶体中1×10¹⁸cm^-3至1×10²¹cm^-3的氮浓度包括氮掺杂剂，且应变补偿组分选自锗、锡、砷、磷及其组合，该应变补偿组分在晶格中引发压缩应力，并抵消了掺杂剂原子所引发的拉伸应力，从而产生稳定的碳化硅晶体；

其中生长所述碳化硅晶体以使所述碳化硅晶体中应变补偿组分的浓度为2×10¹⁸cm^-3至2×10²⁰cm^-3。

2.权利要求1的方法，进一步包括将所述碳化硅晶体切割成晶片。

3.权利要求1的方法，其中所述应变补偿组分包含锗。

4.权利要求1的方法，其中所述碳化硅晶体中氮的浓度为1×10¹⁸cm^-3至1.8×10²⁰cm^-3。

5.权利要求1的方法，其中所述碳化硅晶体中氮的浓度为1×10¹⁸cm^-3至1×10¹⁹cm^-3。