[发明专利]用于锁相环路的电荷泵装置的方法和电路有效
申请号: | 201780086190.5 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN110495102B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 艾伦·C·罗杰斯;拉古亨·巴格万 | 申请(专利权)人: | 模拟比特公司 |
主分类号: | H03L7/089 | 分类号: | H03L7/089 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;吴启超 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 环路 电荷 装置 方法 电路 | ||
1.一种电荷泵,所述电荷泵用于包括相位比较器的锁相环路,所述电荷泵被配置成接收第一p偏压输入、第二p偏压输入、第一n偏压输入、第二n偏压输入;和在输出线上产生电压输出,所述电荷泵包括:
被配置成产生电流供应的源;
耦合到所述源的p沟道源电流网络,所述p沟道源电流网络包括:
第一p沟道晶体管,其包括耦合到所述源以接收所述电流供应的源极端子、被配置成接收所述第一p偏压输入的栅极,以及漏极端子;
第二p沟道晶体管,其包括耦合到所述第一p沟道晶体管的所述漏极端子的源极端子、被配置成接收所述第二p偏压输入的栅极,以及漏极端子;
p沟道电流开关,其包括耦合到所述第一p沟道晶体管的所述漏极端子的至少一个源极端子、耦合到所述相位比较器的至少一个栅极,以及至少一个漏极端子;和
第三p沟道晶体管,其包括耦合到所述p沟道电流开关的漏极端子的源极端子、被配置成接收所述第二p偏压输入的栅极,以及耦合到所述输出线的漏极端子;和
n沟道吸收器电流网络,其包括:
第一n沟道晶体管,其包括漏极端子、被配置成接收所述第一n偏压输入的栅极,以及耦合到地的源极端子;
第二n沟道晶体管,其包括耦合到所述第二p沟道晶体管的所述漏极端子的漏极端子、被配置成接收所述第二n偏压输入的栅极,以及耦合到所述第一n沟道晶体管的所述漏极端子的源极端子;
第三n沟道晶体管,其包括耦合到所述第三p沟道晶体管的所述漏极端子以及所述电荷泵的所述输出的漏极端子、被配置成接收所述第二n偏压输入的栅极,以及源极端子;和
n沟道电流开关,其包括耦合到所述第三n沟道晶体管的所述源极端子的至少一个漏极端子、耦合到所述相位比较器的至少一个栅极,以及耦合到所述第一n沟道晶体管的所述漏极端子的至少一个源极端子;且
其中所述p沟道源电流网络和所述n沟道吸收器电流网络被配置成:
从所述第一p沟道晶体管的漏极端子提取基线电流,使得所述基线电流流过所述第二p沟道晶体管到达所述第二n沟道晶体管然后到达所述第一n沟道晶体管,以及
当所述p沟道电流开关接通时,从所述第一p沟道晶体管的所述漏极端子提取第一电流增量,使得所述第一电流增量(i)流过所述p沟道电流开关和所述第三p沟道晶体管流到所述输出线,且(ii)与从所述第一p沟道晶体管流过所述第二p沟道晶体管到达所述第二n沟道晶体管然后到达所述第一n沟道晶体管的所述基线电流并行地流动,其中所述第一电流增量小于所述基线电流,以及
当所述n沟道电流开关接通时,从所述输出线提取第二电流增量,使得所述第二电流增量(i)流过所述第三n沟道晶体管和所述n沟道电流开关到达所述第一n沟道晶体管,且(ii)与从所述第一p沟道晶体管的所述漏极端子流过所述第二p沟道晶体管到达所述第二n沟道晶体管然后到达所述第一n沟道晶体管的所述基线电流并行地流动,其中所述第二电流增量小于所述基线电流。
2.如权利要求1所述的电荷泵,其中所述p沟道电流开关包括:
第一p沟道电流开关晶体管,其包括耦合到所述第一p沟道晶体管的所述漏极端子的第一源极端子、被配置成接收来自所述相位比较器的经求反第一输出的栅极,以及耦合到所述第三p沟道晶体管的所述源极端子的第一漏极端子;和
第二p沟道电流开关晶体管,其被配置成使所述相位比较器的第一输出以电容方式耦合到所述第三p沟道晶体管的所述源极端子,所述第二p沟道电流开关晶体管包括栅极、第二源极端子和第二漏极端子,所述栅极被配置成接收来自所述相位比较器的所述第一输出,所述第二源极端子和第二漏极端子两者都耦合到所述第三p沟道晶体管的所述源极端子。
3.如权利要求2所述的电荷泵,其中来自所述相位比较器的所述第一输出指示输入所述相位比较器的参考信号是否领先输入所述相位比较器的反馈信号,且其中所述经求反第一输出滞后于所述第一输出。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于模拟比特公司,未经模拟比特公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780086190.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。