[发明专利]使用粘合剂对微结构进行传质有效
申请号: | 201780086315.4 | 申请日: | 2017-12-11 |
公开(公告)号: | CN110574174B | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 庄永璋;张磊;欧放;李起鸣 | 申请(专利权)人: | 上海显耀显示科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/08 | 分类号: | H01L33/08;H01L27/15;H01L21/78;H01L21/306 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;傅远 |
地址: | 200013 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 粘合剂 微结构 进行 传质 | ||
1.一种用于制造集成微LED显示器的方法,包括:
对于包括微LED阵列的两个或多个微LED管芯中的每个微LED管芯,将所述微LED阵列附接到CMOS管芯,所述微LED阵列被制造在第一基板上,所述CMOS管芯包括在CMOS基板上制造的相应像素驱动器的阵列,其中将所述微LED阵列附接到所述CMOS管芯包括:
通过使用粘合剂将所述微LED阵列转移到第二基板,包括将所述第一基板与所述微LED阵列分离,所述微LED阵列由所述第二基板支撑,其中每个微LED具有接合金属焊盘,并且与所述微LED中的一个微LED对应的每个所述像素驱动器也具有接合金属焊盘;
将由所述第二基板支撑的所述微LED阵列的所述接合金属焊盘与所述像素驱动器的阵列的相应的所述接合金属焊盘对齐并接合,其中在所述对齐并接合步骤期间,所述微LED阵列具有高于所述第二基板的突出高度,所述突出高度足够为先前被接合到所述CMOS管芯的其他微LED阵列提供间隙;以及
通过在对齐并接合下一个微LED阵列之前释放所述粘合剂来移除所述第二基板。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述接合发生在升高的温度下,所述第一基板和所述CMOS基板由于不同的热膨胀系数而对于在所述升高的温度下的结合而言不兼容,而所述第二基板和所述CMOS基板具有对于在所述升高的温度下的接合而言兼容的热膨胀系数。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一基板是以下各项中的一项:蓝宝石基板、硅基板、GaAs基板、以及SiC基板;并且所述第二基板是以下各项中的一项:蓝宝石基板、硅基板、玻璃基板、陶瓷基板、以及聚合物基板。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述粘合剂是以下各项中的一项:SU-8涂层、苯并环丁烯(BCB)涂层、聚酰亚胺涂层、聚苯并恶唑(PBO)涂层、硅氧烷涂层、或热释放涂层。
5.根据权利要求1所述的方法,其中通过使用所述粘合剂将所述微LED阵列转移到所述第二基板包括:热处理或UV照射以固化所述粘合剂。
6.根据权利要求1所述的方法,其中通过释放所述粘合剂来移除所述第二基板包括以下各项中的至少一项:激光照射、湿法蚀刻所述粘合剂、干法蚀刻所述粘合剂、热处理、以及机械剥离,以释放所述粘合剂。
7.根据权利要求1所述的方法,其中通过释放所述粘合剂来移除所述第二基板包括:机械剥离以释放所述粘合剂,其中在所述微LED和所述粘合剂之间插入粘合控制层,以促进所述微LED与所述粘合剂的机械剥离。
8.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在已经通过释放所述粘合剂移除所述第二基板之后,移除多余的粘合剂。
9.根据权利要求8所述的方法,其中移除多余的粘合剂包括:湿法蚀刻或干法蚀刻以移除多余的粘合剂。
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述粘合剂包括两个粘合剂层,并且通过释放所述粘合剂来移除所述第二基板包括:释放所述两个粘合剂层中更靠近所述第二基板的一个粘合剂层。
11.根据权利要求1所述的方法,其中通过使用所述粘合剂将所述微LED阵列转移到所述第二基板包括:
通过使用所述粘合剂将由所述第一基板支撑的所述微LED阵列附接到所述第二基板;以及
将所述第一基板与所述微LED阵列分离,同时将所述微LED阵列附接到所述第二基板。
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