[发明专利]半导体装置

说明书

半导体装置，设于半导体基板(4)，隔着分离区域(16)而配置有栅极驱动型的主元件(2)和电流检测用的感测元件(3)，在形成于上述半导体基板的上述感测元件以及上述分离区域的结构中，对上述感测元件的电阻做出贡献的至少一部分电阻成分(4c～4f，4p～4r，22b～22e)形成为比对上述主元件的电阻做出贡献的同等构成部分的电阻成分(4，4a，4b，22a)高的电阻值。

关连申请的相互参照

本申请基于2017年2月15日申请的日本专利申请第2017－25929号，这里引用其记载内容。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

作为具备电流检测功能的栅极驱动型的半导体装置，有在MOSFET等功率半导体元件中对主元件并设作为电流检测元件的感测元件而得到的结构。感测元件是与主元件同样的结构，流过与主元件的电流成比例的电流，所以通过检测该电流而检测主元件的电流。

在这样的半导体装置中，有如下课题：根据栅极电压及温度特性，感测元件的检测电流与主元件的电流的感测比变动，无法精度良好地检测主元件的电流。该情况下，例如存在如下情况：感测电流向主元件与感测元件之间的分离区域流入从而感测元件的电流增加，因此感测比下降。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2015－176927号公报

发明内容

本发明提供半导体装置，是具备对主元件的电流进行检测的感测元件的栅极驱动型的半导体装置，能够极力抑制依赖于栅极电压的感测比的变动。

在本发明的第一实施方式中，是设于半导体基板、隔着分离区域而存在栅极驱动型的主元件和感测元件的半导体装置，在形成于上述半导体基板的上述感测元件以及上述分离区域的结构中，将对上述感测元件的电阻做出贡献的至少一部分电阻成分形成为比对上述主元件的电阻做出贡献的同等构成部分的电阻成分高的电阻值。

通过采用上述结构，在通过感测元件对主元件的电流进行检测的情况下，通过将感测元件的电阻形成得比主元件的电阻高，从而当栅极电压增大时感测元件的电流向分离区域侧扩展、感测元件部分的实质电阻变小的情况下，也能够成为与主元件同等的电阻。由此，在电流变大的区域中也能够抑制感测比的变动，能够在栅极电压大的范围内使感测比的变动减小。

附图说明

本发明的上述目的及其他目的、特征及优点通过参照附图并通过下述的详细记载会更加明确。

图1是表示第1实施方式的整体的平面图。

图2是感测元件部分的平面图。

图3是图1中A－A线部分的剖面图。

图4是图2中B－B线部分的剖面图。

图5是等价电路图。

图6是电阻成分的说明图。

图7是电气特性图(其1)。

图8是电气特性图(其2)。

图9是电气特性图(其3)。

图10是电气特性图(其4)。

图11是表示第2实施方式的感测元件部分的平面图。

图12是图11中C－C线部分的剖面图。

图13是表示第3实施方式的感测元件部分的平面图。

图14是图13中D－D线部分的剖面图。

图15是表示第4实施方式的感测元件部分的平面图。