[发明专利]电机驱动器

权利要求书

1.一种用于乘客输送机的电机驱动器(10)，所述电机驱动器包括整流桥(12)，所述整流桥(12)连接到DC链路(16)，所述DC链路(16)连接到具有被配置为连接到电机的相输出的逆变桥，以及控制所述逆变桥的半导体开关(30a-30f)的驱动控制器(42)，其中驱动控制器(42)包括接地故障控制电路，其被配置为建立接地故障测试，其特征在于，所述接地故障控制电路被配置为执行接地故障测试，

所述逆变桥具有连接到DC链路(16)的正极的、上侧的上半导体开关(30a-30c)以及连接到DC链路(16)的负极的、下侧的下半导体开关(30d-30f)，

所述上半导体开关(30a-30c)是没有去饱和保护的半导体开关，而所述下半导体开关(30d-30f)包括去饱和保护(46a-c、42)，在所述接地故障测试中包括去饱和保护(46a-c、42)的每个单独的所述下半导体开关(30d-30f)在测试时间周期内一次仅切换一个，其中所述接地故障控制电路被配置为仅在所述接地故障测试未导致所述下半导体开关(30d-30f)之一的去饱和保护(46a-c、42)的跳闸时，才使能所述电机驱动器(10)的启动，其中，所述测试时间周期大于所述去饱和保护(46a-c、42)的跳闸时间，并且所述测试时间周期小于所述下半导体开关(30d-30f)的损坏时间；或者，

所述上半导体开关(30a-30c)包括去饱和保护(46a-c、42)，而所述下半导体开关(30d-30f)是没有去饱和保护的半导体开关，在所述接地故障测试中包括去饱和保护(46a-c、42)的每个单独的所述上半导体开关(30a-30c)在测试时间周期内一次仅切换一个，其中所述接地故障控制电路被配置为仅在所述接地故障测试未导致所述上半导体开关(30a-30c)之一的去饱和保护(46a-c、42)的跳闸时，才使能所述电机驱动器(10)的启动，其中，所述测试时间周期大于所述去饱和保护(46a-c、42)的跳闸时间，并且所述测试时间周期小于所述上半导体开关(30a-30c)的损坏时间。

2.根据权利要求1所述的电机驱动器(10)，其中，所述测试时间周期(t)在1到20微秒之间。

3.根据权利要求1所述的电机驱动器(10)，其中，所述驱动控制器(42)以所述DC链路(16)的负极为参考，并且所述下半导体开关(30d-30f)包括去饱和保护(46a-c、42)。

4.根据权利要求1所述的电机驱动器(10)，其中所述半导体开关(30d-30f)的去饱和保护(46a-c、42)由它们的栅极驱动器(46a-46c)实现。

5.根据权利要求1所述的电机驱动器(10)，其中所述半导体开关(30d-30f)的去饱和保护(46a-c、42)由所述驱动控制器(42)实现。

6.根据权利要求1所述的电机驱动器，其中从所述驱动控制器到所述下侧半导体开关的控制极的控制信号路径在没有电流隔离的情况下实现。

7.根据权利要求6所述的电机驱动器，其中，所述下侧半导体开关的控制极包括：所述下侧半导体开关的栅极。

8.根据权利要求1所述的电机驱动器(10)，其中所述整流桥(12)的输入包括接触器或接触器继电器(44)，其响应于半导体开关(30d-30f)的去饱和和/或过电流保护(46a-c、42)的跳闸和/或响应于电流传感器信号而被控制。

9.根据权利要求1所述的电机驱动器(10)，其中，所述半导体开关(30a-30f)是IGBT或MOSFET晶体管。

10.根据权利要求1所述的电机驱动器(10)，被配置为执行根据以下权利要求之一的方法。