[发明专利]半导体元件接合体及其制造方法、半导体装置

权利要求书

1.一种半导体元件接合体，具备：

安装部件，设置有凹部；以及

半导体元件，在配置于所述凹部的状态下搭载于所述安装部件，

所述安装部件的设置有所述凹部的部分由金属构成，

形成于所述凹部的外周部的台阶的高度为20[μm]以上且小于50[μm]，

当设为激光的波长λ＝632.8[nm]时，所述凹部的底面的平坦度为λ/8.7[μm]以上且λ/1.2[μm]以下，

金属膜设置于所述半导体元件，

所述凹部的底面与所述金属膜相互直接接合。

2.根据权利要求1所述的半导体元件接合体，其中，

在构成所述金属膜的材料中包含Au、Ag、Cu、Pt以及Pd中的至少任意一种金属。

3.根据权利要求1所述的半导体元件接合体，其中，

在构成所述金属膜的材料中包含Au，

在构成所述安装部件的设置有所述凹部的部分的金属中包含Cu，

在所述凹部的底面与所述金属膜的界面存在平均空孔直径为0.1[μm]以上且小于0.4[μm]的空孔。

4.一种半导体装置，具备：

权利要求1～3中的任意一项所述的半导体元件接合体；以及

散热板，经由接合材料接合于所述安装部件。

5.一种半导体元件接合体的制造方法，是制造权利要求1～3中的任意一项所述的半导体元件接合体的方法，其中，所述制造方法具备：

凹部形成工序，制造设置有所述凹部的所述安装部件；

装配工序，在所述凹部形成工序之后，在将设置于所述半导体元件的所述金属膜与所述凹部的底面重叠的状态下将所述半导体元件配置于所述凹部；以及

接合工序，在所述装配工序之后，用200[℃]以上且小于350[℃]的温度、以及1[MPa]以上且小于50[MPa]的加压力将所述金属膜与所述安装部件相互接合。

6.根据权利要求5所述的半导体元件接合体的制造方法，其中，

在所述凹部形成工序中，用80[MPa]以上且120[MPa]以下的按压压力对所述安装部件进行按压加工，从而将所述凹部形成于所述安装部件。