[发明专利]用于功率放大器的具有多个基极台面和功率级的异质结双极晶体管单位单元

权利要求书

1.一种异质结双极晶体管单位单元，包括：

化合物半导体衬底；

基极台面，在所述化合物半导体衬底上，所述基极台面包括在所述化合物半导体衬底上的集电极区域以及在所述集电极区域上的基极区域；

单发射极台面，在所述基极台面上；

基极接触件，沿所述单发射极台面的宽度延伸；以及

集电极接触件，沿所述单发射极台面的长度延伸；

其中所述单发射极台面的所述宽度大于或等于所述单发射极台面的所述长度。

2.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管单位单元，其中基极台面面积与发射极台面面积的比率小于2。

3.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管单位单元，其中所述基极接触件接近所述单发射极台面的仅一侧。

4.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管单位单元，其中所述化合物半导体衬底包括III-V族化合物半导体材料或II-VI族化合物半导体材料。

5.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管单位单元，其中集成所述异质结双极晶体管单位单元的功率放大器被包含到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、移动电话和便携式计算机中的至少一种中。

6.一种异质结双极晶体管单位单元，包括：

化合物半导体衬底；

第一基极台面，在所述化合物半导体衬底上；

第一发射极台面，在所述第一基极台面上；

第二基极台面，在所述化合物半导体衬底上并且与所述第一基极台面间隔开；

第二发射极台面，在所述第二基极台面上；

第一基极接触件，沿所述第一发射极台面的宽度延伸；以及

集电极接触件，沿所述第一发射极台面的长度延伸；

其中所述第一发射极台面的所述宽度大于或等于所述第一发射极台面的所述长度。

7.根据权利要求6所述的异质结双极晶体管单位单元，其中所述集电极接触件在所述化合物半导体衬底上、在所述第一基极台面与所述第二基极台面之间。

8.根据权利要求6所述的异质结双极晶体管单位单元，还包括隔离层，在所述化合物半导体衬底上、在所述第一基极台面与所述第二基极台面之间。

9.根据权利要求6所述的异质结双极晶体管单位单元，其中第一基极台面面积与第一发射极台面面积的比率小于2。

10.根据权利要求6所述的异质结双极晶体管单位单元，还包括：

第二基极接触件，接近所述第二发射极台面的仅一侧，其中所述第一基极接触件接近所述第一发射极台面的仅一侧。

11.根据权利要求6所述的异质结双极晶体管单位单元，其中集成所述异质结双极晶体管单位单元的功率放大器被包含到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、移动电话和便携式计算机中的至少一种中。

12.一种功率放大器，包括：

多个异质结双极晶体管单位单元，所述多个异质结双极晶体管单位单元中的每个异质结双极晶体管单位单元包括：

化合物半导体衬底；

基极台面，在所述化合物半导体衬底上；

单发射极台面，在所述基极台面上；

基极接触件，沿所述单发射极台面的宽度延伸；以及

集电极接触件，沿所述单发射极台面的长度延伸；

其中所述单发射极台面的所述宽度大于或等于所述单发射极台面的所述长度。

13.根据权利要求12所述的功率放大器，其中所述基极接触件接近所述单发射极台面的仅一侧。

14.根据权利要求12所述的功率放大器，被包含到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、移动电话和便携式计算机中的至少一种中。