[发明专利]磁存储元件、磁存储装置、电子装置以及制造磁存储元件的方法

权利要求书

1.一种磁存储元件，包括：

多个隧道结元件，各自包括：具有固定磁化方向的参考层、能够反转磁化方向的存储层，和插入所述参考层和所述存储层之间的绝缘体层，所述多个隧道结元件彼此电并联，

其中所述多个隧道结元件具有彼此相同的膜结构，所述膜结构的各层通过使用相同的材料形成，以具有相同的厚度，以及

通过沿层压方向切割所述多个隧道结元件获得的每个横截面形状是多边形的形状，其包括相互平行的上侧和下侧，所述多个隧道结元件中每一个的所述下侧与所述上侧的比值不同。

2.根据权利要求1所述的磁存储元件，

其中，在所述多个隧道结元件中的至少任何一个的横截面形状中，所述存储层的下侧与上侧的比值为1或更大。

3.根据权利要求1所述的磁存储元件，

其中，在所述多个隧道结元件中的至少任何一个的横截面形状中，所述存储层的下侧与上侧的比值小于1。

4.根据权利要求1所述的磁存储元件，

其中所述多个隧道结元件具有多边形横截面形状，所述多边形横截面形状具有不同数量的顶点。

5.根据权利要求1所述的磁存储元件，

其中在所述多个隧道结元件的横截面形状中，至少所述存储层的横截面形状彼此不同。

6.根据权利要求1所述的磁存储元件，

其中所述存储层基于流经所述隧道结元件的电流方向来反转磁化方向。

7.根据权利要求6所述的磁存储元件，

其中在所述多个隧道结元件中，用于反转所述存储层的磁化方向的电压彼此不同。

8.一种磁存储装置，其中多个磁存储元件布置成阵列，所述磁存储元件中的每一个包括：多个隧道结元件，各自包括具有固定磁化方向的参考层、能够反转磁化方向的存储层，和插入所述参考层和所述存储层之间的绝缘体层，所述多个隧道结元件彼此电并联，其中所述多个隧道结元件具有彼此相同的膜结构，所述膜结构的各层通过使用相同的材料形成，以具有相同的厚度，且通过沿层压方向切割所述多个隧道结元件获得的每个横截面形状是多边形的形状，其包括相互平行的上侧和下侧，所述多个隧道结元件中每一个的所述下侧与所述上侧的比值不同。

9.一种电子装置，包括：

磁存储单元，其中多个磁存储元件布置成阵列，所述磁存储元件中的每一个具有多个隧道结元件，各自包括具有固定磁化方向的参考层、能够反转磁化方向的存储层，和插入所述参考层和所述存储层之间的绝缘体层，所述多个隧道结元件彼此电并联，所述多个隧道结元件具有彼此相同的膜结构，所述膜结构的各层通过使用相同的材料形成，以具有相同的厚度，通过沿层压方向切割所述多个隧道结元件获得的每个横截面形状是多边形的形状，其包括相互平行的上侧和下侧，所述多个隧道结元件中每一个的所述下侧与所述上侧的比值不同；以及

算术处理单元，其基于存储在所述磁存储单元中的信息执行信息处理。

10.一种制造磁存储元件的方法，包括：

形成层压的步骤，所述层压包括具有固定磁化方向的参考层、能够反转磁化方向的存储层，和插入所述参考层和所述存储层之间的绝缘体层；

通过蚀刻将所述层压分割而形成多个隧道结元件的步骤；

通过蚀刻所述多个隧道结元件中的至少任何一个，改变进行了蚀刻的所述隧道结元件的至少所述存储层的形状的步骤；以及

电并联所述多个隧道结元件的步骤。