[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质有效
申请号: | 201780087210.0 | 申请日: | 2017-09-27 |
公开(公告)号: | CN110366770B | 公开(公告)日: | 2023-09-19 |
发明(设计)人: | 川崎润一;冈崎正 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;C23C16/44;H01L21/02;H01L21/31;H01L21/677 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;沈静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 半导体器件 制造 方法 记录 介质 | ||
本发明提供一种结构,具备:基板保持器,其对包括产品基板和虚设基板的多枚基板进行保持;移载机构,其将基板装填到基板保持器上;主控制部,其根据与载置于基板保持器上的产品基板的枚数、装填于产品基板上下的虚设基板的枚数、和表示装填于基板保持器上的虚设基板中的最上方的载置位置的编号分别对应的设定项目来决定针对基板的基板载置位置;和搬送控制部,其根据该基板载置位置使移载机构动作。
技术领域
本发明涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。
背景技术
在立式成膜装置等基板处理装置中,将搭载有多个基板(以下也称为晶片)的基板保持器(以下也称为晶舟)收容于处理室内且供给处理气体并加热,将处理室内的压力和温度设定为规定值,在基板表面上进行各种处理。在这种基板处理装置中,例如在虚设基板(以下也称为虚设晶片)与产品基板(以下也称为产品晶片)混在一起的状态下将处理气体向处理炉内导入而进行处理的情况下,可知堆积于产品基板的膜厚会根据搭载于晶舟的产品基板的枚数而变动。例如如下述专利文献1记载那样,利用与产品枚数相应的控制参数进行配方(recipe)制作。例如如下述专利文献2记载那样,显示设定基板收容位置的画面,能够设定基板的种类、位置、枚数的各种组合。但是,虚设基板的枚数、移载位置的变更每次都必须根据产品枚数来创建基板的种类、位置、枚数的组合,是很费事的。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2014-075574号公报
专利文献2:日本特开2009-231748号公报
发明内容
本发明的目的在于,提供一种以成为恰当的基板配置的方式使基板的移载机构动作的结构。
根据本发明的一个方式提供一种结构,具备:基板保持器,其对包括产品基板和虚设基板的多枚基板进行保持;移载机构,其将基板装填到基板保持器;主控制部,其根据与载置于基板保持器的产品基板的枚数、装填于产品基板上下的虚设基板的枚数、和表示装填于基板保持器的虚设基板中的最上方的载置位置的编号分别对应的设定项目,来决定针对基板的基板载置位置;和搬送控制部,其根据该基板载置位置使移载机构动作。
发明效果
根据上述结构,能够以成为恰当的基板配置的方式使基板的移载机构动作。
附图说明
图1是本发明的实施方式的基板处理装置的立体图。
图2是本发明的实施方式的基板处理装置的侧面透视图。
图3是本发明的实施方式的基板处理装置的控制部及存储部的构成例。
图4是用于说明本发明的第1实施方式的图。
图5是本发明的第2及第3实施方式的对规定项目进行设定的设定画面例。
图6中,(a)是表示基于图5中的设定而载置了基板的例子的图。(b)是表示基于图5中的设定而载置了基板的例子的图。(c)是表示基于图5中的设定而载置了基板的例子的图。
图7是本发明的实施方式的流程图的图示例。
图8是用于说明本发明的第4实施方式的图。
具体实施方式
以下,参照附图来说明本发明的实施方式中的基板处理装置。在本实施方式中,基板处理装置作为一个例子而构成为实施半导体器件(IC:Integrated Circuit(集成电路))的制造方法中的处理工序的半导体制造装置。此外,在以下说明中,对作为基板处理装置而应用对基板进行氧化、扩散处理或CVD处理等的批量式立式半导体制造装置(以下简称为处理装置)的情况进行叙述。图1是应用本发明的处理装置的透视图,示出为立体图。另外,图2是图1所示的处理装置的侧面透视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造