[发明专利]磁存储器、半导体装置、电子设备和读取磁存储器的方法

权利要求书

1.一种磁存储器，其包含：

第一磁存储元件和第二磁存储元件，其设置在彼此交叉的第一配线和第二配线之间，并且串联地电连接；

第三配线，其在所述第一磁存储元件和所述第二磁存储元件之间电连接；

第一确定单元，其基于通过所述第三配线流向所述第一磁存储元件的电流来确定所述第一磁存储元件的磁化状态；

第二确定单元，其基于通过所述第一配线流向所述第一磁存储元件和所述第二磁存储元件的电流来确定所述第二磁存储元件的磁化状态，

其中基于所述第一确定单元的确定结果改变所述第二确定单元的确定状态。

2.根据权利要求1所述的磁存储器，其中在对应于所述第一磁存储元件和所述第二磁存储元件的磁化状态的所述第一磁存储元件和所述第二磁存储元件的合成电阻可能获得的四种电阻状态中，所述第二确定单元确定状态是否为经由所述电阻状态中的一个而彼此邻近的、所述电阻状态中的两个中的任一种，以确定所述第二磁存储元件的磁化状态。

3.根据权利要求1所述的磁存储器，进一步包含多个参考元件，其在所述第一确定单元和所述第二确定单元确定所述第一磁存储元件和所述第二磁存储元件的磁化状态时使用，

其中切换所述第二确定单元使用的所述参考元件以改变所述第二确定单元的确定状态。

4.根据权利要求3所述的磁存储器，进一步包含开关，其基于所述第一确定单元的确定结果来切换电连接至所述第二确定单元的所述参考元件。

5.根据权利要求1所述的磁存储器，其中所述第一磁存储元件和所述第二磁存储元件在相同的存储状态下具有不同的电阻值。

6.根据权利要求5所述的磁存储器，其中所述第一磁存储元件和所述第二磁存储元件具有不同的截面形状或截面面积。

7.根据权利要求1所述的磁存储器，其中所述第一磁存储元件和所述第二磁存储元件包含垂直磁化型的自旋注入磁存储元件。

8.根据权利要求1所述的磁存储器，其中所述第一磁存储元件和所述第二磁存储元件包含面内磁化型的自旋注入磁存储元件。

9.一种半导体装置，其包含

磁存储器，其包括在磁体的磁化状态下保持信息的多个磁存储元件，和

运算装置，其设置在与所述磁存储器相同的芯片上，

所述磁存储器包括：

第一磁存储元件和第二磁存储元件，其设置在彼此交叉的第一配线和第二配线之间，并且串联地电连接；

第三配线，其在所述第一磁存储元件和所述第二磁存储元件之间电连接；

第一确定单元，其基于通过所述第三配线流向所述第一磁存储元件的电流来确定所述第一磁存储元件的磁化状态；

第二确定单元，其基于通过所述第一配线流向所述第一磁存储元件和所述第二磁存储元件的电流来确定所述第二磁存储元件的磁化状态，

其中基于所述第一确定单元的确定结果改变所述第二确定单元的确定状态。

10.一种电子设备，其包含

磁存储器，其包括在磁体的磁化状态下保持信息的多个磁存储元件，

所述磁存储器包括：

第一磁存储元件和第二磁存储元件，其设置在彼此交叉的第一配线和第二配线之间，并且串联地电连接；

第三配线，其在所述第一磁存储元件和所述第二磁存储元件之间电连接；

第一确定单元，其基于通过所述第三配线流向所述第一磁存储元件的电流来确定所述第一磁存储元件的磁化状态；

第二确定单元，其基于通过所述第一配线流向所述第一磁存储元件和所述第二磁存储元件的电流来确定所述第二磁存储元件的磁化状态，

其中基于所述第一确定单元的确定结果改变所述第二确定单元的确定状态。